Skip navigation

putin IS MURDERER

Browsing by Subject gallium arsenide

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 5 of 5
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)PreviewTypeIssue DateTitleAuthor(s)
2010Features of forming sub-micron gaas-structures on schottky field-effect transistor (SFT)Novosyadly, Stepan; Voznyak, Yuri; Vartsabiuk, AndriyArticle2010Features of forming sub-micron gaas-structures on schottky field-effect transistor (SFT)Novosyadly, Stepan; Voznyak, Yuri; Vartsabiuk, Andriy
2011Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAsБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Шуригін, Ф. М.Article2011Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAsБольшакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Шуригін, Ф. М.
2010Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторіБольшакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.Article2010Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторіБольшакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
2012Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фазиСтецко, Р. М.Article2012Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фазиСтецко, Р. М.
2014Фізико-топологічні аспекти моделювання арсенідгалієвого супер-бета транзистора на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС комп´ютерних системНовосядлий, С. П.; Мельник, Л. В.Article2014Фізико-топологічні аспекти моделювання арсенідгалієвого супер-бета транзистора на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС комп´ютерних системНовосядлий, С. П.; Мельник, Л. В.