https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/11531| Title: | Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAs |
| Other Titles: | Simulation of physical and chemical processes of growing In-As-GaAs solid solution crystals |
| Authors: | Большакова, І. А. Кость, Я. Я. Макідо, О. Ю. Стецко, Р. М. Швець, О. В. Шуригін, Ф. М. |
| Bibliographic description (Ukraine): | Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAs / І. А. Большакова, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Р. М. Стецко, О. В. Швець, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2011. – № 708 : Електроніка. – С. 99–104. – Бібліографія: 9 назв. |
| Issue Date: | 2011 |
| Publisher: | Видавництво Львівської політехніки |
| Keywords: | моделювання твердий розчин мікрокристали арсенід індію арсенід галію solid solution modeling microcrystals indium arsenide gallium arsenide |
| Abstract: | Виконано термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікро-кристалів InAs-GaAs за методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі. Визначено рівноважний склад газової фази такої системи. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваної системи. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs-GaAs.галію. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs-GaAs microcrystals by the method of chemical transport reaction in chloride system was performed. Equilibrium composition of gas phase for such system was determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied system was performed. Optimal technological modes for growing InAs-GaAs solid solution microcrystals were determined. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11531 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2011. – №708 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.