https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/6220| Title: | Features of forming sub-micron gaas-structures on schottky field-effect transistor (SFT) |
| Authors: | Novosyadly, Stepan Voznyak, Yuri Vartsabiuk, Andriy |
| Bibliographic description (Ukraine): | Novosyadly S. Features of forming sub-micron gaas-structures on schottky field-effect transistor (SFT) / Stepan Novosyadly, Yuri Voznyak, Andriy Vartsabiuk // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії : матеріали ХХ Міжнародної конференції TCSET2010, присвяченої 165-й річниці заснування Національного університету «Львівська політехніка», 23–27 лютого 2010 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2010. – С. 80. – Bibliography: 3 titles. |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | Видавництво Львівської політехніки |
| Keywords: | gallium arsenide GaAs schottky transistors field-effect transistor integral circuits |
| Abstract: | This article describes a problem about small Schottky barrier height for p-channel GaAs field-effect transistors complementary pair. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/6220 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії (TCSET'2010). – 2010 р. |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.