https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/16056| Title: | Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази |
| Other Titles: | Technology of obtaining GaAs-InAs solid solution microcrystals by chemical vapor deposition |
| Authors: | Стецко, Р. М. |
| Bibliographic description (Ukraine): | Стецко Р. М. Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази / Р. М. Стецко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 73–79. – Бібліографія: 14 назв. |
| Issue Date: | 2012 |
| Publisher: | Видавництво Львівської політехніки |
| Keywords: | пара-рідина-кристал твердий розчин мікрокристали арсенід індію арсенід галію vapor-liquid-solid solid solution microcrystals indium arsenide gallium arsenide |
| Abstract: | Наведено результати вирощування мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs за механізмом пара-рідина-кристал (ПРК-механізмом) методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. Отримано мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs зі складом 0,30≤x≤0,41, який був визначений за допомогою рентгенівського мікроаналізу. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system are represented. GaxIn1-xAs solid solution microcrystals with 0.30≤x≤0.41 composition, which was determined by X-ray microanalysis, were obtained. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/16056 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2012. – №734 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 11-Stetsko-73-79.pdf | 758.59 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.