https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/24078| Title: | Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторі |
| Other Titles: | Tecnology of obtaining whiskers GaAs in open flow reactor |
| Authors: | Большакова, І. А. Заячук, Д. М. Кость, Я. Я. Макідо, О. Ю. Шуригін, Ф. М. |
| Bibliographic description (Ukraine): | Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторі / І. А. Большакова, Д. М. Заячук, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 75–79. – Бібліографія: 7 назв. |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | Видавництво Львівської політехніки |
| Keywords: | арсенід галію нановіскер (нанодротина) віскер механізм ПРК парогазова фаза проточний реактор дозрівання Освальда gallium arsenide nanowhisker (nanowire) whisker VLS mechanism gas-vapor phase flow reactor Ostwald ripening |
| Abstract: | Наведена технологія отримання мікровіскерів GaAs в проточному реакторі. Технологія дає змогу контролювати діаметри віскерів у діапазоні від десятків нанометрів до десятків мікрон. Запропонована модель, яка пояснює основні етапи осадження матеріалу з парової фази. Основними положеннями моделі є механізм пара-рідина-кристал і конкуруючий ріст нанодротин. The technology for obtaining GaAs microwhiskers in flow reactor is presented. The technology allows controlling whiskers diameters in the range from tens of nanometers to tens of microns. The model explaining the basic stages of material deposition from vapour phase is suggested. The basic principles of the model are the vapour-liquid-solid mechanism and competitive nanowires growth. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24078 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2010. – №681 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 12-75-79.pdf | 639.29 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.