https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/6220| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Novosyadly, Stepan | - |
| dc.contributor.author | Voznyak, Yuri | - |
| dc.contributor.author | Vartsabiuk, Andriy | - |
| dc.date.accessioned | 2010-10-04T07:44:12Z | - |
| dc.date.available | 2010-10-04T07:44:12Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Novosyadly S. Features of forming sub-micron gaas-structures on schottky field-effect transistor (SFT) / Stepan Novosyadly, Yuri Voznyak, Andriy Vartsabiuk // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії : матеріали ХХ Міжнародної конференції TCSET2010, присвяченої 165-й річниці заснування Національного університету «Львівська політехніка», 23–27 лютого 2010 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2010. – С. 80. – Bibliography: 3 titles. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/6220 | - |
| dc.description.abstract | This article describes a problem about small Schottky barrier height for p-channel GaAs field-effect transistors complementary pair. | uk_UA |
| dc.language.iso | en | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
| dc.subject | gallium arsenide | uk_UA |
| dc.subject | GaAs | uk_UA |
| dc.subject | schottky transistors | uk_UA |
| dc.subject | field-effect transistor | uk_UA |
| dc.subject | integral circuits | uk_UA |
| dc.title | Features of forming sub-micron gaas-structures on schottky field-effect transistor (SFT) | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії (TCSET'2010). – 2010 р. | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.