Skip navigation
DSpace logo
  1. Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
  2. Електронний архів Науково-технічної бібліотеки
  3. Вісники та науково-технічні збірники, журнали
  4. Електроніка
  5. Електроніка. – 2005. – №532

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/47519
Title: Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії
Other Titles: Control of carrier concentration in epitaxial layers AlGaAs for laser structures growing by low temperature liquid phase epitaxy method
Authors: Заячук, Д. М.
Круковський, С. І.
Мрихін, І. О.
Zayachuk, D. M.
Krukovsky, S. I.
Mrykhin, I. O.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Bibliographic description (Ukraine): Заячук Д. М. Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії / Д. М. Заячук, С. І. Круковський, І. О. Мрихін // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 24–28.
Bibliographic description (International): Zayachuk D. M. Control of carrier concentration in epitaxial layers AlGaAs for laser structures growing by low temperature liquid phase epitaxy method / D. M. Zayachuk, S. I. Krukovsky, I. O. Mrykhin // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 532 : Elektronika. — P. 24–28.
Is part of: Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 532 : Електроніка, 2005
Journal/Collection: Вісник Національного університету “Львівська політехніка”
Issue: 532 : Електроніка
Issue Date: 1-Mar-2005
Publisher: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Place of the edition/event: Львів
Lviv
UDC: 621.315.592
Number of pages: 5
Page range: 24-28
Start page: 24
End page: 28
Abstract: Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах Al0.1Ga0.9As і Al0.28Ga0.72As, вирощених методом НТРФЕ. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0.014 ат %, то концентрація вільних дірок в легованих плівках є вищою за 1·1018 см-3, що достатньо для їх використання як активних і емітерних шарів лазерної гетероструктури. Аналізується залежність результуючої концентрації дірок в епітаксійних шарах від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти.
The results of investigations of Mg impurity influence on free carrier concentration in epitaxial layers Al0.1Ga0.9As and Al0.28Ga0.72As growing by LTLPE method are presented. It is shown that the free carrier concentration at the doped epitaxial layers is over 1·1018 cm-3 if the impurity concentration in solution-melt is over 0.014 at %. Dependences of free holes concentration in epitaxial layers on impurity concentration in the melt, crystal matrix composition, and technological condition of initial charge homogenization are analyzed.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47519
Copyright owner: © Національний університет “Львівська політехніка”, 2005
© Zayachuk D. M, Krukovsky S. I., Mrykhin I. O., 2005
References (Ukraine): 1. Hayashi I., Panish M.B. J. Appl. Phys. 41, 150 (1970).
2. Kressel H., Hawrylo F.Z. J. Appl.Phys. 41, 1865 (1970)
3. Milanova M., Khvostikov V., J. Cryst. Growth. 219, 193 (2000).
4. Burnham R.D., Dapkus P.D., Holonyak N., Keune D.L., Zwicker H.R., J. Solid-State Electron. 13, 199 (1970).
5. Minden H.T., Premo R. J. Appl. Phys. 45, 4520 (1974).
6. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З., Жиляев Ю.В., Морозов Е.П., Портной Е.Л., Трофимов В.Г. ФТП. 4, 1826 (1970).
7. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Воднев А.А., Ивентьева О.О., Ларионов В.Р., Румянцев В.Д. ФТП. 20, 381 (1986).
8. Casey H.C., Panish M.B., Schlosser W.O., Paoli T.L. J. Appl. Phys. 45, 321 (1974).
9. Kuphal E. J. Cryst. Growth 54, 117 (1981)
10. Мастеров В.Ф. ФТП. 27, 1435 (1993).
11. Гореленок А.Т.,. Каманин А.В, Шмидт Н.М., ФТП. 37, 922 (2003).
12. Chang J.S.C, Kisker D.W. and Stevenson D.A. Solid-State Electron. 28, 479 (1985)
References (International): 1. Hayashi I., Panish M.B. J. Appl. Phys. 41, 150 (1970).
2. Kressel H., Hawrylo F.Z. J. Appl.Phys. 41, 1865 (1970)
3. Milanova M., Khvostikov V., J. Cryst. Growth. 219, 193 (2000).
4. Burnham R.D., Dapkus P.D., Holonyak N., Keune D.L., Zwicker H.R., J. Solid-State Electron. 13, 199 (1970).
5. Minden H.T., Premo R. J. Appl. Phys. 45, 4520 (1974).
6. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Harbuzov D.Z., Zhiliaev Iu.V., Morozov E.P., Portnoi E.L., Trofimov V.H. FTP. 4, 1826 (1970).
7. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Vodnev A.A., Iventeva O.O., Larionov V.R., Rumiantsev V.D. FTP. 20, 381 (1986).
8. Casey H.C., Panish M.B., Schlosser W.O., Paoli T.L. J. Appl. Phys. 45, 321 (1974).
9. Kuphal E. J. Cryst. Growth 54, 117 (1981)
10. Masterov V.F. FTP. 27, 1435 (1993).
11. Horelenok A.T.,. Kamanin A.V, Shmidt N.M., FTP. 37, 922 (2003).
12. Chang J.S.C, Kisker D.W. and Stevenson D.A. Solid-State Electron. 28, 479 (1985)
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2005. – №532

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2005n532_Zayachuk_D_M-Control_of_carrier_concentration_24-28.pdf1.51 MBAdobe PDFView/Open
2005n532_Zayachuk_D_M-Control_of_carrier_concentration_24-28__COVER.png423.52 kBimage/pngView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.