| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Заячук, Д. М. | |
| dc.contributor.author | Круковський, С. І. | |
| dc.contributor.author | Мрихін, І. О. | |
| dc.contributor.author | Zayachuk, D. M. | |
| dc.contributor.author | Krukovsky, S. I. | |
| dc.contributor.author | Mrykhin, I. O. | |
| dc.date.accessioned | 2020-03-20T07:36:35Z | - |
| dc.date.available | 2020-03-20T07:36:35Z | - |
| dc.date.created | 2005-03-01 | |
| dc.date.issued | 2005-03-01 | |
| dc.identifier.citation | Заячук Д. М. Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії / Д. М. Заячук, С. І. Круковський, І. О. Мрихін // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 24–28. | |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47519 | - |
| dc.description.abstract | Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв
заряду в епітаксійних шарах Al0.1Ga0.9As і Al0.28Ga0.72As, вирощених методом НТРФЕ.
Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0.014 ат %, то
концентрація вільних дірок в легованих плівках є вищою за 1·1018 см-3, що достатньо
для їх використання як активних і емітерних шарів лазерної гетероструктури.
Аналізується залежність результуючої концентрації дірок в епітаксійних шарах від
концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов
гомогенізації вихідної шихти. | |
| dc.description.abstract | The results of investigations of Mg impurity influence on free carrier concentration in
epitaxial layers Al0.1Ga0.9As and Al0.28Ga0.72As growing by LTLPE method are presented. It is
shown that the free carrier concentration at the doped epitaxial layers is over 1·1018 cm-3
if the impurity concentration in solution-melt is over 0.014 at %. Dependences of free holes
concentration in epitaxial layers on impurity concentration in the melt, crystal matrix
composition, and technological condition of initial charge homogenization are analyzed. | |
| dc.format.extent | 24-28 | |
| dc.language.iso | uk | |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” | |
| dc.relation.ispartof | Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 532 : Електроніка, 2005 | |
| dc.title | Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії | |
| dc.title.alternative | Control of carrier concentration in epitaxial layers AlGaAs for laser structures growing by low temperature liquid phase epitaxy method | |
| dc.type | Article | |
| dc.rights.holder | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2005 | |
| dc.rights.holder | © Zayachuk D. M, Krukovsky S. I., Mrykhin I. O., 2005 | |
| dc.contributor.affiliation | Національний університет “Львівська політехніка” | |
| dc.format.pages | 5 | |
| dc.identifier.citationen | Zayachuk D. M. Control of carrier concentration in epitaxial layers AlGaAs for laser structures growing by low temperature liquid phase epitaxy method / D. M. Zayachuk, S. I. Krukovsky, I. O. Mrykhin // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 532 : Elektronika. — P. 24–28. | |
| dc.relation.references | 1. Hayashi I., Panish M.B. J. Appl. Phys. 41, 150 (1970). | |
| dc.relation.references | 2. Kressel H., Hawrylo F.Z. J. Appl.Phys. 41, 1865 (1970) | |
| dc.relation.references | 3. Milanova M., Khvostikov V., J. Cryst. Growth. 219, 193 (2000). | |
| dc.relation.references | 4. Burnham R.D., Dapkus P.D., Holonyak N., Keune D.L., Zwicker H.R., J. Solid-State Electron. 13, 199 (1970). | |
| dc.relation.references | 5. Minden H.T., Premo R. J. Appl. Phys. 45, 4520 (1974). | |
| dc.relation.references | 6. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З., Жиляев Ю.В., Морозов Е.П., Портной Е.Л., Трофимов В.Г. ФТП. 4, 1826 (1970). | |
| dc.relation.references | 7. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Воднев А.А., Ивентьева О.О., Ларионов В.Р., Румянцев В.Д. ФТП. 20, 381 (1986). | |
| dc.relation.references | 8. Casey H.C., Panish M.B., Schlosser W.O., Paoli T.L. J. Appl. Phys. 45, 321 (1974). | |
| dc.relation.references | 9. Kuphal E. J. Cryst. Growth 54, 117 (1981) | |
| dc.relation.references | 10. Мастеров В.Ф. ФТП. 27, 1435 (1993). | |
| dc.relation.references | 11. Гореленок А.Т.,. Каманин А.В, Шмидт Н.М., ФТП. 37, 922 (2003). | |
| dc.relation.references | 12. Chang J.S.C, Kisker D.W. and Stevenson D.A. Solid-State Electron. 28, 479 (1985) | |
| dc.relation.referencesen | 1. Hayashi I., Panish M.B. J. Appl. Phys. 41, 150 (1970). | |
| dc.relation.referencesen | 2. Kressel H., Hawrylo F.Z. J. Appl.Phys. 41, 1865 (1970) | |
| dc.relation.referencesen | 3. Milanova M., Khvostikov V., J. Cryst. Growth. 219, 193 (2000). | |
| dc.relation.referencesen | 4. Burnham R.D., Dapkus P.D., Holonyak N., Keune D.L., Zwicker H.R., J. Solid-State Electron. 13, 199 (1970). | |
| dc.relation.referencesen | 5. Minden H.T., Premo R. J. Appl. Phys. 45, 4520 (1974). | |
| dc.relation.referencesen | 6. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Harbuzov D.Z., Zhiliaev Iu.V., Morozov E.P., Portnoi E.L., Trofimov V.H. FTP. 4, 1826 (1970). | |
| dc.relation.referencesen | 7. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Vodnev A.A., Iventeva O.O., Larionov V.R., Rumiantsev V.D. FTP. 20, 381 (1986). | |
| dc.relation.referencesen | 8. Casey H.C., Panish M.B., Schlosser W.O., Paoli T.L. J. Appl. Phys. 45, 321 (1974). | |
| dc.relation.referencesen | 9. Kuphal E. J. Cryst. Growth 54, 117 (1981) | |
| dc.relation.referencesen | 10. Masterov V.F. FTP. 27, 1435 (1993). | |
| dc.relation.referencesen | 11. Horelenok A.T.,. Kamanin A.V, Shmidt N.M., FTP. 37, 922 (2003). | |
| dc.relation.referencesen | 12. Chang J.S.C, Kisker D.W. and Stevenson D.A. Solid-State Electron. 28, 479 (1985) | |
| dc.citation.journalTitle | Вісник Національного університету “Львівська політехніка” | |
| dc.citation.issue | 532 : Електроніка | |
| dc.citation.spage | 24 | |
| dc.citation.epage | 28 | |
| dc.coverage.placename | Львів | |
| dc.coverage.placename | Lviv | |
| dc.subject.udc | 621.315.592 | |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2005. – №532
|
