Моделювання сенсора тиску на основі ефекту п’єзо-термо-ЕРС

Abstract

Наведено комп’ютерну модель процесів, які відбуваються у сенсорі гідростатичного тиску на основі ефекту п’єзо-термо-ЕРС у мікрокристалах кремнію р-типу провідності при нестаціонарних температурах та тисках. Результати можна використати для проектування напівпровідникових сенсорів механічних величин з оптиміальними параметрами при роботі в нестаціонарних режимах. The computer model of processes which occur in hydrostatic pressure sensor on the base intermittent of the piezo-seebeck effect in p-type silicon whiskers is presented. The results may be used for designing the semiconductor sensors of mechanical values with optimum parameters under nonsteady-state conditions.