Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/38597
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorДружинін, А. О.-
dc.contributor.authorПанков, Ю. М.-
dc.contributor.authorМатвієнко, С. M.-
dc.date.accessioned2017-08-02T11:02:54Z-
dc.date.available2017-08-02T11:02:54Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.citationДружинін А. О. Моделювання сенсора тиску на основі ефекту п’єзо-термо-ЕРС / А. О. Дружинін, Ю. М. Панков, С. М. Матвієнко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 25–30. – Бібліографія: 4 назви.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38597-
dc.description.abstractНаведено комп’ютерну модель процесів, які відбуваються у сенсорі гідростатичного тиску на основі ефекту п’єзо-термо-ЕРС у мікрокристалах кремнію р-типу провідності при нестаціонарних температурах та тисках. Результати можна використати для проектування напівпровідникових сенсорів механічних величин з оптиміальними параметрами при роботі в нестаціонарних режимах. The computer model of processes which occur in hydrostatic pressure sensor on the base intermittent of the piezo-seebeck effect in p-type silicon whiskers is presented. The results may be used for designing the semiconductor sensors of mechanical values with optimum parameters under nonsteady-state conditions.uk_UA
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”uk_UA
dc.titleМоделювання сенсора тиску на основі ефекту п’єзо-термо-ЕРСuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2001. – №427

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
6_25-30.pdf228.96 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.