Skip navigation

putin IS MURDERER

Електроніка. – 2003. – №482 : [26] Collection home page

Browse
Subscribe to this collection to receive daily e-mail notification of new additions RSS Feed RSS Feed RSS Feed
Collection's Items (Sorted by Submit Date in Descending order): 1 to 20 of 26
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)PreviewTypeIssue DateTitleAuthor(s)
2003Зміст до Вісника "Електроніка", № 482-Other2003Зміст до Вісника "Електроніка", № 482-
2003Титульний аркуш до Вісника Національного університету "Львівська політехніка", № 482-Other2003Титульний аркуш до Вісника Національного університету "Львівська політехніка", № 482-
2003Імпульсна лазерна модифікація при поверхневих шарів телуриду кадміюЗагіней, А. О.; Котлярчук, Б. К.; Сивенький, Ю. Є.Article2003Імпульсна лазерна модифікація при поверхневих шарів телуриду кадміюЗагіней, А. О.; Котлярчук, Б. К.; Сивенький, Ю. Є.
2003Імпульсна лазерна модифікація при поверхневих шарів телуриду кадміюЗагіней, А. О.; Котлярчук, Б. К.; Сивенький, Ю. Є.Article2003Імпульсна лазерна модифікація при поверхневих шарів телуриду кадміюЗагіней, А. О.; Котлярчук, Б. К.; Сивенький, Ю. Є.
2003Ударна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTeЯковина, В. С.; Берченко, М. М.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.Article2003Ударна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTeЯковина, В. С.; Берченко, М. М.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.
2003Використання радіаційно стійких перетворювачів Холла в системах орієнтації космічних апаратівБольшакова, І. А.; Брайлян, Р. І.; Голяка, Р. Л.; Єгоров, А. Г.; Когут, І. В.; Копцев, П. С.; Марусенков, А. В.Article2003Використання радіаційно стійких перетворювачів Холла в системах орієнтації космічних апаратівБольшакова, І. А.; Брайлян, Р. І.; Голяка, Р. Л.; Єгоров, А. Г.; Когут, І. В.; Копцев, П. С.; Марусенков, А. В.
2003Електричні властивості структур напівпровідників-феритЮщук, С. І.; Байцар, Г. С.; Байцар, Р. І.; Варшава, С. С.Article2003Електричні властивості структур напівпровідників-феритЮщук, С. І.; Байцар, Г. С.; Байцар, Р. І.; Варшава, С. С.
2003Класифікація подвійних перестановок міжелектронної взаємодіїТовстюк, К. К.; Товстюк, К. Д.Article2003Класифікація подвійних перестановок міжелектронної взаємодіїТовстюк, К. К.; Товстюк, К. Д.
2003Моделювання перехідних процесів у джозефсонівських елементах пам'яті з використанням реальних вах тунельних переходівТиханський, М.В.; Шуригін, Ф.М.; Тиханська, К.М.Article2003Моделювання перехідних процесів у джозефсонівських елементах пам'яті з використанням реальних вах тунельних переходівТиханський, М.В.; Шуригін, Ф.М.; Тиханська, К.М.
2003Розрахунок матриці потенціалу спін-орбітальної взаємодії на основі змішаного базису в напівпровідникових кристалахСиротюк, С.В.; Кинаш, Ю.Є.; Краєвський, С.Н.Article2003Розрахунок матриці потенціалу спін-орбітальної взаємодії на основі змішаного базису в напівпровідникових кристалахСиротюк, С.В.; Кинаш, Ю.Є.; Краєвський, С.Н.
2003Вплив товщини фазової голограми на її параметриФітьо, В. М.Article2003Вплив товщини фазової голограми на її параметриФітьо, В. М.
2003Теплові процеси в пасивному модуляторі добротності на основі кристала Cr4+:YAGБурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.Article2003Теплові процеси в пасивному модуляторі добротності на основі кристала Cr4+:YAGБурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.
2003Фазовий перехід Pbnm - R-3c в La0.92Sr0.08Ga0.92Ti0.08O3Сенишин, А. Т.; Півак, Є. В.; Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.; Берковскі, М.Article2003Фазовий перехід Pbnm - R-3c в La0.92Sr0.08Ga0.92Ti0.08O3Сенишин, А. Т.; Півак, Є. В.; Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.; Берковскі, М.
2003Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрівПелещак, Р.М.; Рудницький, С.В.Article2003Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрівПелещак, Р.М.; Рудницький, С.В.
2003Лазерна ударна хвиля як механізм трансформації дефектної структури напівпровідникаГородниченко, О. С.; Гнатюк, В. А.; Юр'єв, С. О.; Ракобовчук, Л. М.Article2003Лазерна ударна хвиля як механізм трансформації дефектної структури напівпровідникаГородниченко, О. С.; Гнатюк, В. А.; Юр'єв, С. О.; Ракобовчук, Л. М.
2003Гетероструктури CdHgTe/(Si,GaAs) отримані МПЕ: структура,напруження,фізичні властивостіВойцеховський, А. В.; Вірт, І. С.; Коханенко, А. П.; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.Article2003Гетероструктури CdHgTe/(Si,GaAs) отримані МПЕ: структура,напруження,фізичні властивостіВойцеховський, А. В.; Вірт, І. С.; Коханенко, А. П.; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.
2003Радіоканал системи передачі телевізійних зображень з рухомих об'єктівСеменюк, А. Й.Article2003Радіоканал системи передачі телевізійних зображень з рухомих об'єктівСеменюк, А. Й.
2003FA і FD -центри забарвлення в кристалах флюоритуКачан, С. І.; Кушнір, Т. М.; Пірко, І. Б.; Салапак, В. М.; Чорній, З. П.Article2003FA і FD -центри забарвлення в кристалах флюоритуКачан, С. І.; Кушнір, Т. М.; Пірко, І. Б.; Салапак, В. М.; Чорній, З. П.
2003Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAsДаньків, О. О.; Пелещак, Р. М.; Пелещак, Б. М.Article2003Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAsДаньків, О. О.; Пелещак, Р. М.; Пелещак, Б. М.
2003Особливості впливу лазерних ударних хвиль на приповерхневі шари та границі розділення твердих тілБерченко, М. М.; Ковалюк, Б. П.; Нікіфоров, Ю. М.; Яковина, В. С.Article2003Особливості впливу лазерних ударних хвиль на приповерхневі шари та границі розділення твердих тілБерченко, М. М.; Ковалюк, Б. П.; Нікіфоров, Ю. М.; Яковина, В. С.
Collection's Items (Sorted by Submit Date in Descending order): 1 to 20 of 26