https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/30919| Title: | Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів |
| Other Titles: | Change of electronic states filling along superlattice axes GaAs-Si (δ) caused by mismatch of a lattice parameters |
| Authors: | Пелещак, Р.М. Рудницький, С.В. |
| Bibliographic description (Ukraine): | Пелещак Р. М. Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів / Р. М. Пелещак, С. В. Рудницький // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 141–147. – Бібліографія: 10 назв. |
| Issue Date: | 2003 |
| Publisher: | Видавництво Львівської політехніки |
| Abstract: | Розраховано зміни концентрації електронів у напрямку осі гетероструктури GaAs-Si (δ). Встановлено, що в центрі δ-шару створюється область збіднення і натомість на гетеромежі спостерігається підвищення концентрації електронів.Досліджено залежність зміни концентрації від параметра надгратки.Change of a charge concentration in heterostructure GaAs-Si (δ) are investigated.It established, that the center of a δ-layer is area of poverty and on heteroborders there is a surplus of concentration of charges. The influence of parameters superlattice on concentration distribution is a analyzed. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30919 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2003. – №482 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 21-141-147.pdf | 932.89 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.