Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/14381
Title: Eexpress method of threshold voltage control of DMOS transistors in the process of their manufacturing
Authors: Politansky, Leonid
Lesinsky, Valentin
Bibliographic description (Ukraine): Politansky L. Eexpress method of threshold voltage control of DMOS transistors in the process of their manufacturing / Leonid Politansky, Valentin Lesinsky // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 448. – Bibliography: 2 titles.
Issue Date: 2012
Publisher: Видавництво Львівської політехніки
Keywords: DMOS transistors
threshold voltage
Abstract: There is shown the use of test structure for DMOS-structure threshold voltage control and correction.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/14381
Content type: Article
Appears in Collections:Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії (TCSET’2012). – 2012 р.

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
318.pdf74.03 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.