Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/9866
Title: Метод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефекту
Authors: Лопатинський, І. Є.
Стахіра, П. Й.
Стахіра, Р. Й.
Токарєв, І. С.
Bibliographic description (Ukraine): Метод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефекту / І. Є. Лопатинський, П. Й. Стахіра, Р. Й. Стахіра, І. С. Токарєв // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки. – С. 104–108. – Бібліографія: 2 назви.
Issue Date: 2000
Publisher: Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”
Abstract: Розглядається теорія явища п’єзофотопровідності, яке дає інформацію про енергетичну залежність густини станів у напівпровідникових кристалах. Описано методику експериментального визначення спектрів п’єзофотопровідності. The theory of the tensiophotoconductivity phenomenon, which gives information about energy dependence of state density in semiconductor crystals, is considered. The method of experimental determination of tensiophotoconductivity spectra was described.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/9866
Content type: Article
Appears in Collections:Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2000. – №393

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
21.pdf1.32 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.