https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/9866| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Лопатинський, І. Є. | - |
| dc.contributor.author | Стахіра, П. Й. | - |
| dc.contributor.author | Стахіра, Р. Й. | - |
| dc.contributor.author | Токарєв, І. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2011-06-16T09:13:56Z | - |
| dc.date.available | 2011-06-16T09:13:56Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.citation | Метод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефекту / І. Є. Лопатинський, П. Й. Стахіра, Р. Й. Стахіра, І. С. Токарєв // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки. – С. 104–108. – Бібліографія: 2 назви. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/9866 | - |
| dc.description.abstract | Розглядається теорія явища п’єзофотопровідності, яке дає інформацію про енергетичну залежність густини станів у напівпровідникових кристалах. Описано методику експериментального визначення спектрів п’єзофотопровідності. The theory of the tensiophotoconductivity phenomenon, which gives information about energy dependence of state density in semiconductor crystals, is considered. The method of experimental determination of tensiophotoconductivity spectra was described. | uk_UA |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Державного університету “Львівська політехніка” | uk_UA |
| dc.title | Метод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефекту | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2000. – №393 | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.