https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/7393| Title: | Modeling of threshold voltage in three-dimensional SOI-structures |
| Authors: | Kogut, І. Т. Scherbyak, V. М. |
| Bibliographic description (Ukraine): | Kogut І. Т. Modeling of threshold voltage in three-dimensional SOI-structures / І. Т. Kogut, V. M. Scherbyak // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХХ Міжнародної конференції TCSET2010, присвяченої 165-й річниці заснування Національного університету «Львівська політехніка», 23–27 лютого 2010 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2010. – С. 360. – Bibliography: 3 titles. |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | Видавництво Львівської політехніки |
| Keywords: | SOI MOS-transistor threshold voltage three-dimensional SOI-structure П-shaped profile gate cylinder shaped gate |
| Abstract: | This paper proposed an original approach to the analysis of the threshold voltage metal-oxidesemiconductor structures based on local three-dimensional SOI-structures. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/7393 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії (TCSET'2010). – 2010 р. |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.