| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Цмоць, В. М. | |
| dc.contributor.author | Литовченко, П. Г. | |
| dc.contributor.author | Литовченко, О. П. | |
| dc.contributor.author | Новиков, М. М. | |
| dc.contributor.author | Павловський, Ю. В. | |
| dc.contributor.author | Салань, В. П. | |
| dc.contributor.author | Пацай, Б. Д. | |
| dc.contributor.author | Tsmots, V. M. | |
| dc.contributor.author | Litovchenko, P. G. | |
| dc.contributor.author | Litovchenko, O. P. | |
| dc.contributor.author | Novikov, N. N. | |
| dc.contributor.author | Pavlovskii, Yu. V. | |
| dc.contributor.author | Salan, V. P. | |
| dc.contributor.author | Patsai, B. D. | |
| dc.date.accessioned | 2020-03-20T07:36:29Z | - |
| dc.date.available | 2020-03-20T07:36:29Z | - |
| dc.date.created | 2005-03-01 | |
| dc.date.issued | 2005-03-01 | |
| dc.identifier.citation | Вплив термообробки в інтервалі 650–1100 0С на магнітну сприйнятливість Cz-N-Si / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, О. П. Литовченко, М. М. Новиков, Ю. В. Павловський, В. П. Салань, Б. Д. Пацай // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 147–152. | |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47510 | - |
| dc.description.abstract | Вивчено природу парамагнітних центрів, які утворюються в монокристалах
кремнію, вирощених методом Чохральського, після їх високотемпературної обробки в
інтервалі 650–1100 0С та повторної термообробки при 1150 0С. За даними, одержаними
на основі вимірювання магнітної сприйнятливості (МС), встановлено температурні
інтервали зростання та зменшення концентрації парамагнітних центрів. Методом
трикристальної дифрактометрiї досліджено вміст домiшково-структурних комплексів у
цих кристалах та визначено радіуси і концентрації кластерів та дислокаційних петель.
Встановлено, що виявлені зміни магнітної сприйнятливості пов’язані з генерацією
кисневмісних кластерів та дислокаційних петель. | |
| dc.description.abstract | The nature of paramagnetic centers formed in Cz-Si mono-crystals after their hightemperature treatment in the range of 650–1100 0C and repeated temperature treatment at
1150 0C are studied. On the basis of magnetic susceptibility (MS) measurements, the regions of
increasing and decreasing of paramagnetic center concentration are established. The amount
of impurity-structural complexes in these crystals is investigated by the method of threecrystal diffractometry. The radii and concentration of clusters and dislocation loops are
determined. It is found that obtained MS changes are connected with the generation of
oxygen-related clusters and dislocation loops. | |
| dc.format.extent | 147-152 | |
| dc.language.iso | uk | |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” | |
| dc.relation.ispartof | Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 532 : Електроніка, 2005 | |
| dc.title | Вплив термообробки в інтервалі 650–1100 0С на магнітну сприйнятливість Cz-N-Si | |
| dc.title.alternative | Influence of thermoprocessing in 650–1100 0C range on magnetic susceptibility of Cz-N-Si | |
| dc.type | Article | |
| dc.rights.holder | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2005 | |
| dc.rights.holder | © Цмоць В. М., Литовченко П. Г., Литовченко О. П., Новиков М. М., Ю. В. Павловський, Салань В. П., Пацай Б. Д., 2005 | |
| dc.contributor.affiliation | Міжвідомча лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки НАН та МОН України при Дрогобицькому ДПУ імені Івана Франка | |
| dc.contributor.affiliation | Науковий центр “Інститут ядерних досліджень” НАНУ | |
| dc.contributor.affiliation | Київський національний університет імені Тараса Шевченка | |
| dc.format.pages | 6 | |
| dc.identifier.citationen | Influence of thermoprocessing in 650–1100 0C range on magnetic susceptibility of Cz-N-Si / V. M. Tsmots, P. G. Litovchenko, O. P. Litovchenko, N. N. Novikov, Yu. V. Pavlovskii, V. P. Salan, B. D. Patsai // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 532 : Elektronika. — P. 147–152. | |
| dc.relation.references | 1. Бабич В. М., Блецкан Н. И., Венгер Е. Ф. Кислород в монокристаллах кремния // К., 1997. | |
| dc.relation.references | 2. Bender H. Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques // Phys. Stat. Sol. (a). –1984. – Vol. 86, № 1. – P. 245–261. | |
| dc.relation.references | 3. Цмоць В. М., Войтусик М. Ю., Мельник В. М., Штым В. С. Устройство для измерения магнитной восприимчивости слабомагнитных материалов // А/с. № 1383240. Бюллетень изобретений и открытий. – 1988, № 11. – С. 185. | |
| dc.relation.references | 4. Suezawa M., Sumino K., Iwaizumi M. Electron Spin Resonance Study of Oxygen Donors in Silicon Cryctals // J. Appl. Phys. – 1983. – V. 54, №11. – P. 6594–6600. | |
| dc.relation.references | 5. Baranskii P.I., Babich V.M., Baran N.P., Dotsenko Yu. P., Kovalchuk V.B., Sherschel V.A. Investigation of Formation Conditions of Thermal Donors-I and –II in oxygen-Containing n-Type Silicon within the Temperature Range 400 to 800 0C // Phys. Stat. Sol. (a). – 1983. – V. 78, №2. – P. 733–739. | |
| dc.relation.references | 6. Новиков Н.Н., Пацай Б.Д. Рентгеновские исследования параметров примесноструктурных комплексов прошедших термообработки в кристаллах кремния // Металлофизика и новейшие технологии. – 2003. – Т.25, № 2.– С.257–268. | |
| dc.relation.references | 7. Bourett A. Oxygen Aggregation in Silicon // In: Proceedings of 13-th International Conference on Defects in Semiconductors, edited by L. C. Kimerling and J. M. Parsey, Jr. (The Metallurgical Society of AIME, Warrendale, PA, 1985) – P.129–146. | |
| dc.relation.references | 8. Babich V.M., Baran N.P., Bugai A. A., Konchits A.A., Kovalchuk V.B., Maksimenko V.M., Shanina B.D. Electrical and Paramagnetic Properties of Thermodonors-II in Silicon. Discussion of a Model // Phys. Stat. Sol. (a). –1988. – Vol. 109, № 2. – P. 537–547. | |
| dc.relation.references | 9. Cazcarra V., Zunino P. Influense of Oxygen on Silicon Resistivity // J. Appl. Phys.–1980. – Vol.51, №8. – Р. 4206–4211. | |
| dc.relation.references | 10.Ohsawa A., Honda К., Shibatomi S., Ohkawa S. Microdefects Distribution in Czochralski-Grown Silicon Crystals // Appl. Phys. Lett –1981. –Vol. 38, №10. – P. 787–788. | |
| dc.relation.references | 11.Holzlein К., Pensl G., Schulz М. Trap Spectrum of the "New Oxygen Donor" Silicon // Appl. Phys. A. – 1984. – Vol. 34, № 3. – Р. 155–161. | |
| dc.relation.references | 12.Henry A., Pautrat J.L., Saminadayar K. The New Donors in Silicon: The Effect of the inversion Layers Surrounding Precipitates // In: Proceedings of 14-th international Conference on Defects in Semiconductors, edited by Н.J. von Bardeleben (Trans Tech, Aedermannsdorf, Switzerland, 1986). – P.–985–989. | |
| dc.relation.references | 13.Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках: Пер. с англ. – М., 1974. | |
| dc.relation.references | 14.Bergholz W., Schroter W. Oxygen Related Defects, Especially Thermal Donors in Silicon // In: Proceedings of 7-th international School "Defects in Crystals”, edited by E. Mizera (World Scientific, Szczyrk, Poland, 1985). – P. 196–207. | |
| dc.relation.references | 15.Igras E. Generacja termoakceptorow w krzemie i wplyw naprezen mechanicznych na szybkosc tey generacji // Biuletyn WAT im. J. Dabrowskieco. – 1985. – Vol. 34, № 3. – P. 51–62. | |
| dc.relation.references | 16.Schmalz К., Gaworzewski P., Kirscht F.-G. Deep Levels in Czochralski Si due to Heat Treatment at 600 to 900°C // Phys. Stat. Sol. (a). –1984. – Vol. 81, № 2. – P. K165-K169. | |
| dc.relation.references | 17.Borghesi A., Pivac B., Sassella A. and Stella A. Oxygen precipitation in Silicon Applied Physics Reviews, 77 (9), 1995. – Р. 4169–4244. | |
| dc.relation.referencesen | 1. Babich V. M., Bletskan N. I., Venher E. F. Kislorod v monokristallakh kremniia, K., 1997. | |
| dc.relation.referencesen | 2. Bender H. Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques, Phys. Stat. Sol. (a). –1984, Vol. 86, No 1, P. 245–261. | |
| dc.relation.referencesen | 3. Tsmots V. M., Voitusik M. Iu., Melnik V. M., Shtym V. S. Ustroistvo dlia izmereniia mahnitnoi vospriimchivosti slabomahnitnykh materialov, A/s. No 1383240. Biulleten izobretenii i otkrytii, 1988, No 11, P. 185. | |
| dc.relation.referencesen | 4. Suezawa M., Sumino K., Iwaizumi M. Electron Spin Resonance Study of Oxygen Donors in Silicon Cryctals, J. Appl. Phys, 1983, V. 54, No 11, P. 6594–6600. | |
| dc.relation.referencesen | 5. Baranskii P.I., Babich V.M., Baran N.P., Dotsenko Yu. P., Kovalchuk V.B., Sherschel V.A. Investigation of Formation Conditions of Thermal Donors-I and –II in oxygen-Containing n-Type Silicon within the Temperature Range 400 to 800 0C, Phys. Stat. Sol. (a), 1983, V. 78, No 2, P. 733–739. | |
| dc.relation.referencesen | 6. Novikov N.N., Patsai B.D. Renthenovskie issledovaniia parametrov primesnostrukturnykh kompleksov proshedshikh termoobrabotki v kristallakh kremniia, Metallofizika i noveishie tekhnolohii, 2003, V.25, No 2, P.257–268. | |
| dc.relation.referencesen | 7. Bourett A. Oxygen Aggregation in Silicon, In: Proceedings of 13-th International Conference on Defects in Semiconductors, edited by L. C. Kimerling and J. M. Parsey, Jr. (The Metallurgical Society of AIME, Warrendale, PA, 1985) – P.129–146. | |
| dc.relation.referencesen | 8. Babich V.M., Baran N.P., Bugai A. A., Konchits A.A., Kovalchuk V.B., Maksimenko V.M., Shanina B.D. Electrical and Paramagnetic Properties of Thermodonors-II in Silicon. Discussion of a Model, Phys. Stat. Sol. (a). –1988, Vol. 109, No 2, P. 537–547. | |
| dc.relation.referencesen | 9. Cazcarra V., Zunino P. Influense of Oxygen on Silicon Resistivity, J. Appl. Phys.–1980, Vol.51, No 8, R. 4206–4211. | |
| dc.relation.referencesen | 10.Ohsawa A., Honda K., Shibatomi S., Ohkawa S. Microdefects Distribution in Czochralski-Grown Silicon Crystals, Appl. Phys. Lett –1981. –Vol. 38, No 10, P. 787–788. | |
| dc.relation.referencesen | 11.Holzlein K., Pensl G., Schulz M. Trap Spectrum of the "New Oxygen Donor" Silicon, Appl. Phys. A, 1984, Vol. 34, No 3, R. 155–161. | |
| dc.relation.referencesen | 12.Henry A., Pautrat J.L., Saminadayar K. The New Donors in Silicon: The Effect of the inversion Layers Surrounding Precipitates, In: Proceedings of 14-th international Conference on Defects in Semiconductors, edited by N.J. von Bardeleben (Trans Tech, Aedermannsdorf, Switzerland, 1986), P.–985–989. | |
| dc.relation.referencesen | 13.Matare H. Elektronika defektov v poluprovodnikakh: transl. from English – M., 1974. | |
| dc.relation.referencesen | 14.Bergholz W., Schroter W. Oxygen Related Defects, Especially Thermal Donors in Silicon, In: Proceedings of 7-th international School "Defects in Crystals", edited by E. Mizera (World Scientific, Szczyrk, Poland, 1985), P. 196–207. | |
| dc.relation.referencesen | 15.Igras E. Generacja termoakceptorow w krzemie i wplyw naprezen mechanicznych na szybkosc tey generacji, Biuletyn WAT im. J. Dabrowskieco, 1985, Vol. 34, No 3, P. 51–62. | |
| dc.relation.referencesen | 16.Schmalz K., Gaworzewski P., Kirscht F.-G. Deep Levels in Czochralski Si due to Heat Treatment at 600 to 900°C, Phys. Stat. Sol. (a). –1984, Vol. 81, No 2, P. K165-K169. | |
| dc.relation.referencesen | 17.Borghesi A., Pivac B., Sassella A. and Stella A. Oxygen precipitation in Silicon Applied Physics Reviews, 77 (9), 1995, R. 4169–4244. | |
| dc.citation.journalTitle | Вісник Національного університету “Львівська політехніка” | |
| dc.citation.issue | 532 : Електроніка | |
| dc.citation.spage | 147 | |
| dc.citation.epage | 152 | |
| dc.coverage.placename | Львів | |
| dc.coverage.placename | Lviv | |
| dc.subject.udc | 535.37 | |
| dc.subject.udc | 537.311.33 | |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2005. – №532
|
