Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/47501
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЦмоць, В. М.
dc.contributor.authorЛитовченко, П. Г.
dc.contributor.authorЛитовченко, О. П.
dc.contributor.authorОстровський, І. П.
dc.contributor.authorПавловський, Ю. В.
dc.contributor.authorTsmots’, V. M.
dc.contributor.authorLitovchenko, P. G.
dc.contributor.authorLitovchenko, O. P.
dc.contributor.authorOstrovskii, I. P.
dc.contributor.authorPavlovskii, Yu. V.
dc.date.accessioned2020-03-20T07:36:23Z-
dc.date.available2020-03-20T07:36:23Z-
dc.date.created2005-03-01
dc.date.issued2005-03-01
dc.identifier.citationОсобливості магнітної сприйнятливості ниткоподібних кристалів Si-Ge / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, О. П. Литовченко, І. П. Островський, Ю. В. Павловський // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 99–104.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47501-
dc.description.abstractДосліджено магнітну сприйнятливість (МС) ниткоподібних кристалів (НК) Si1-хGeх (х = 0,01-0,05) при Т = 300 К в магнітних полях 0,3–4 кЕ. Досліджено субмікронні НК, які є квазіциліндричними кристалами, і кристали з d > 3 мкм, які є голкоподібними. Встановлено, що поведінка магнітної сприйнятливості НК різного діаметра істотно відрізняється від МС об’ємного матеріалу. Отримані значення МС ниткоподібних кристалів Si-Ge пояснено особливостями їх кристалічної структури і хімічного складу.
dc.description.abstractIn the present work magnetic susceptibility (MS) of Si1-хGeх (х = 0,01-0,05) whiskers at T=300K in magnetic fields of 0,3-4 кOe were investigated. Submicron (quasicylindrical) and needdle-like whiskers with d > 3 m were under consideration. A behaviour of MS for the whiskers with various diameters was shown to differ substantially from that of bulk material. The observed values of MS for Si-Ge whiskers are explained by peculiarities of their crystal structure as well as chemical composition.
dc.format.extent99-104
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”, 532 : Електроніка, 2005
dc.titleОсобливості магнітної сприйнятливості ниткоподібних кристалів Si-Ge
dc.title.alternativePeculiarities of Si-Ge whisker magnetic susceptibility
dc.typeArticle
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2005
dc.rights.holder© Цмоць В. М., Литовченко П. Г., Литовченко О. П., Островський І. П., Павловський Ю. В., 2005
dc.contributor.affiliationМіжвідомча лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки НАН та МОН України при Дрогобицькому ДПУ імені Івана Франка
dc.contributor.affiliationНауковий центр “Інститут ядерних досліджень” НАНУ
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”
dc.format.pages6
dc.identifier.citationenPeculiarities of Si-Ge whisker magnetic susceptibility / V. M. Tsmots’, P. G. Litovchenko, O. P. Litovchenko, I. P. Ostrovskii, Yu. V. Pavlovskii // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 532 : Elektronika. — P. 99–104.
dc.relation.references1. Климовская А.И., Островский И.П., Байцар Р.И. // Изв. РАН, Сер.физ., 1993, Т.57, №11. – С.210–213.
dc.relation.references2. Gule E.G., Rudko G.Yu., Klimovskaya A.I., Valakh M.Ya. and Ostrovskii I.P. // Phys. Stat. Solid. B, , 1997, V161. P.565.
dc.relation.references3. Варшава С. С. , Островський І.П., Цмоць В.М., Павловский Ю.В., Паньків Л.І. //Вісник національного університету “Львівська політехніка”. –2003. – №482. – С. 92–97.
dc.relation.references4. Ostrovskii I.P., Gij Ya.S., Tsmots’ V.M., Pavlovskii Yu.V. // Crystallography Reports, 2004, 9 (2).– С.202.
dc.relation.references5. Voronin V.A., Maryamova I.L, Ostrovskaya A.S. // Cryst. Prop. and Prepar.- V.36-38.- 1991. – P.340–348.
dc.relation.references6. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатих кристаллов из пара. М., 1977.
dc.relation.references7. Даринский Б.М., Козенков О.Д., Щетинин А.А.// Физика, 1986. – №2.– Т.18.– С. 86.
dc.relation.references8. Klimovskaya A.I., Prokopenko I.V., Ostrovskii I.P. // J. Phys: Condens.Matter., 2001, V.13, – P.5923.
dc.relation.references9. Цмоць В.М., Штым В.С., Войтусик М.Ю., Мельник В.М. Бюллетень изобретений и открытий, №11, 1988. – С.185.
dc.relation.references10.Klimovskaya A.I., Ostrovskii I.P., Ostrovskaya A.S. // Phys. Stat. Sol. A. – 1996. – V.153. – P.465–472.
dc.relation.references11.Цмоць В.М., Штим В.С., Янішевський В.С., Павловський Ю.В. // Вісник національного університету “Львівська політехніка”, журнал “Електроніка”.- 2000. – №401. – С. 92–100.
dc.relation.references12.Заитов Ф.А., Цмоць В.М., Аскеров К.А., Исаев Ф.К., Мехтиев А.Г. // Изв. АН Азерб. ССР. Серия физ.-техн. и мат. наук. – 1988. – №2. – C.79–82.
dc.relation.referencesen1. Klimovskaia A.I., Ostrovskii I.P., Baitsar R.I., Izv. RAN, Ser.fiz., 1993, V.57, No 11, P.210–213.
dc.relation.referencesen2. Gule E.G., Rudko G.Yu., Klimovskaya A.I., Valakh M.Ya. and Ostrovskii I.P., Phys. Stat. Solid. B, , 1997, V161. P.565.
dc.relation.referencesen3. Varshava S. S. , Ostrovskyi I.P., Tsmots V.M., Pavlovskyi Yu.V., Pankiv L.I. //Visnyk natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". –2003, No 482, P. 92–97.
dc.relation.referencesen4. Ostrovskii I.P., Gij Ya.S., Tsmots’ V.M., Pavlovskii Yu.V., Crystallography Reports, 2004, 9 (2), P.202.
dc.relation.referencesen5. Voronin V.A., Maryamova I.L, Ostrovskaya A.S., Cryst. Prop. and Prepar, V.36-38, 1991, P.340–348.
dc.relation.referencesen6. Hivarhizov E.I. Rost nitevidnykh i plastinchatikh kristallov iz para. M., 1977.
dc.relation.referencesen7. Darinskii B.M., Kozenkov O.D., Shchetinin A.A.// Fizika, 1986, No 2, V.18, P. 86.
dc.relation.referencesen8. Klimovskaya A.I., Prokopenko I.V., Ostrovskii I.P., J. Phys: Condens.Matter., 2001, V.13, P.5923.
dc.relation.referencesen9. Tsmots V.M., Shtym V.S., Voitusik M.Iu., Melnik V.M. Biulleten izobretenii i otkrytii, No 11, 1988, P.185.
dc.relation.referencesen10.Klimovskaya A.I., Ostrovskii I.P., Ostrovskaya A.S., Phys. Stat. Sol. A, 1996, V.153, P.465–472.
dc.relation.referencesen11.Tsmots V.M., Shtym V.S., Yanishevskyi V.S., Pavlovskyi Yu.V., Visnyk natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", zhurnal "Elektronika", 2000, No 401, P. 92–100.
dc.relation.referencesen12.Zaitov F.A., Tsmots V.M., Askerov K.A., Isaev F.K., Mekhtiev A.H., Izv. AN Azerb. SSR. Seriia fiz.-tekhn. i mat. nauk, 1988, No 2, P.79–82.
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”
dc.citation.issue532 : Електроніка
dc.citation.spage99
dc.citation.epage104
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.subject.udc621.315.592
Appears in Collections:Електроніка. – 2005. – №532

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2005n532_Tsmots_V_M-Peculiarities_of_Si_Ge_99-104.pdf2.04 MBAdobe PDFView/Open
2005n532_Tsmots_V_M-Peculiarities_of_Si_Ge_99-104__COVER.png432.76 kBimage/pngView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.