Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/47494
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorІльчук, Г. А.
dc.contributor.authorКусьнеж, В. В.
dc.contributor.authorУкраїнець, В. О.
dc.contributor.authorОхремчук, Є. В.
dc.contributor.authorКунтий, Орест Іванович
dc.contributor.authorУкраїнець, Н. А.
dc.contributor.authorIlchuk, G. A.
dc.contributor.authorKusnezh, V. V.
dc.contributor.authorUkrainets, V. O.
dc.contributor.authorOhremchuk, E. V.
dc.contributor.authorKuntyj, O. I.
dc.contributor.authorUkrainets, N. A.
dc.date.accessioned2020-03-20T07:36:18Z-
dc.date.available2020-03-20T07:36:18Z-
dc.date.created2005-03-01
dc.date.issued2005-03-01
dc.identifier.citationГетероконтакт Cds – білок на основі електрохімічно синтезованих плівок сульфіду кадмію / Г. А. Ільчук, В. В. Кусьнеж, В. О. Українець, Є. В. Охремчук, О. І. Кунтий, Н. А. Українець // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 60–64.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47494-
dc.description.abstractСтворено гетероконтакт (ГК) CdS/білок електрохімічно осадженої плівки CdS з природним білком та досліджено його електрофізичні (вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики) властивості. Як анод-підкладка для осадження CdS використані металургійний Cd, кадмійована фольга металів Cu, Ni. В порівняльному плані створені і досліджені ГК Cd-CdS/білок, Ni-Cd-CdS/H2O та Cd/білок. Показано, що гетероконтакт електрохімічно синтезованих плівок CdS з природним білком може бути використано як експрес-метод контролю параметрів цих плівок.
dc.description.abstractHeterocontact (HC) CdS/protein of electrochemicaly deposition CdS film with natural protein was fabricated and its electrophysical (current-voltage and capacitance-voltage characteristics) properties are investigated. Metallurgical cadmium and covered cadmium foil of metals Cu, Ni, as the anode – substrate for deposition CdS, were used. In the comparative plan HC Cd-CdS/ protein, Ni-Cd-CdS/H2O and Cd/protein were fabricated and investigated. It is shown, that HC electrochemicaly deposition CdS film with natural protein as the express – control method of parameters these films is possible to use.
dc.format.extent60-64
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”, 532 : Електроніка, 2005
dc.titleГетероконтакт Cds – білок на основі електрохімічно синтезованих плівок сульфіду кадмію
dc.title.alternativeHeterocontact Cds–protein on a basis of electrochemical synthesized cadmium sulfide films
dc.typeArticle
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2005
dc.rights.holder© Ільчук Г. А., Кусьнеж В. В., Українець В. О., Охремчук Є. В., Кунтий О. І., Українець Н. А., 2005
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”
dc.format.pages5
dc.identifier.citationenHeterocontact Cds–protein on a basis of electrochemical synthesized cadmium sulfide films / G. A. Ilchuk, V. V. Kusnezh, V. O. Ukrainets, E. V. Ohremchuk, O. I. Kuntyj, N. A. Ukrainets // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 532 : Elektronika. — P. 60–64.
dc.relation.references1. ISES Solar World Congress 2003. Solar Energy for a Susfainable Future. June 14-19, 2003, Goteborg Sweden. Abstract Book.
dc.relation.references2. Takahashi M., Hasegawa S., Watanabe M., Miyuki T., Ikeda S., Iida K. // J. Appl. Electrochem., 2002, 32. – Р. 359–367.
dc.relation.references3. Klad’ko V.P., Lytvyn O.S.,. Lytvyn P.M, Osipenok N.M., Pekar G.S., Prokopenko I.V., Singaevsky A.F., Korchevoy A.A. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, V.5, №2. – Р. 170–175.
dc.relation.references4. Гуделева Н.Н., Бекмухаметова Ф.С, Салаева З.П., Дергачёва М.Б. // Журнал общей химии, 1999, Т. 69, вып. 10. – С. 1615-1619.
dc.relation.references5. VigilO.,Zelaja-AngelO.,RodriguezY.//Semicond.Sci.and Technol. 2000. 15. №3.P.259-262
dc.relation.references6. Алферов Ж.И. // ФТП, 1998,Т.32. – Вып.1. – С.3–18.
dc.relation.references7. Ильчук Г.А., Украинец В.О., Рудь Ю.В., Кунтый О.И., Украинец Н.А., Лукиянец Б.А., Петрусь Р.Ю. // Письма в ЖТФ, 2004, Т. 30. – Вып. 15. – С.19–24
dc.relation.references8. Гуревич Ю.А., Песков Ю.В. Фотоэлектрохимия полупроводников. М., Наука, 1983
dc.relation.references9. Симон Ж., Андре Ж-Ж. Молекулярные полупроводники. Фотоэлектрические свойства и солнечные элементы. Пер. с англ. – М., 1988
dc.relation.references10. Рудь Ю.В., Рудь В.Ю., Бондарь И.В., Шаповалова В.В., Ильчук Г.А.// ФТП,1999, том.33. – Вып 10. – С.1201–1204.
dc.relation.referencesen1. ISES Solar World Congress 2003. Solar Energy for a Susfainable Future. June 14-19, 2003, Goteborg Sweden. Abstract Book.
dc.relation.referencesen2. Takahashi M., Hasegawa S., Watanabe M., Miyuki T., Ikeda S., Iida K., J. Appl. Electrochem., 2002, 32, R. 359–367.
dc.relation.referencesen3. Klad’ko V.P., Lytvyn O.S.,. Lytvyn P.M, Osipenok N.M., Pekar G.S., Prokopenko I.V., Singaevsky A.F., Korchevoy A.A., Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, V.5, No 2, R. 170–175.
dc.relation.referencesen4. Hudeleva N.N., Bekmukhametova F.S, Salaeva Z.P., Derhacheva M.B., Zhurnal obshchei khimii, 1999, V. 69, Iss. 10, P. 1615-1619.
dc.relation.referencesen5. VigilO.,Zelaja-AngelO.,RodriguezY.//Semicond.Sci.and Technol. 2000. 15. No 3.P.259-262
dc.relation.referencesen6. Alferov Zh.I., FTP, 1998,V.32, Iss.1, P.3–18.
dc.relation.referencesen7. Ilchuk H.A., Ukrainets V.O., Rud Iu.V., Kuntyi O.I., Ukrainets N.A., Lukiianets B.A., Petrus R.Iu., Pisma v ZhTF, 2004, V. 30, Iss. 15, P.19–24
dc.relation.referencesen8. Hurevich Iu.A., Peskov Iu.V. Fotoelektrokhimiia poluprovodnikov. M., Nauka, 1983
dc.relation.referencesen9. Simon Zh., Andre Zh-Zh. Molekuliarnye poluprovodniki. Fotoelektricheskie svoistva i solnechnye elementy. transl. from English – M., 1988
dc.relation.referencesen10. Rud Iu.V., Rud V.Iu., Bondar I.V., Shapovalova V.V., Ilchuk H.A.// FTP,1999, tom.33, Vyp 10, P.1201–1204.
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”
dc.citation.issue532 : Електроніка
dc.citation.spage60
dc.citation.epage64
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.subject.udc621
dc.subject.udc382
Appears in Collections:Електроніка. – 2005. – №532

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2005n532_Ilchuk_G_A-Heterocontact_Cds-protein_60-64.pdf1.69 MBAdobe PDFView/Open
2005n532_Ilchuk_G_A-Heterocontact_Cds-protein_60-64__COVER.png470.73 kBimage/pngView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.