https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/47229| Title: | The short-range principle in the electron scattering theory in indium nitride |
| Other Titles: | Принцип близькодії в теорії розсіяння електронів в нітриді індію Принцип близкодействия в теории рассеяния электронов в нитриде индия |
| Authors: | Малик, О. П. Кеньо, Г. В. Malyk, O. P. Kenyo, G. V. Малик, О. П. Кеньо, Г. В. |
| Affiliation: | Національний університет “Львівська політехніка” National University “Lvivska Politechnika” Национальный университет “Львивська политехника” |
| Bibliographic description (Ukraine): | Malyk O. P. The short-range principle in the electron scattering theory in indium nitride / O. P. Malyk, G. V. Kenyo // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. — № 740 : Фізико-математичні науки. — С. 100–104. |
| Bibliographic description (International): | Malyk O. P. The short-range principle in the electron scattering theory in indium nitride / O. P. Malyk, G. V. Kenyo // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Lvivskoi politekhniky, 2012. — No 740 : Fizyko-matematychni nauky. — P. 100–104. |
| Is part of: | Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 740 : Фізико-математичні науки, 2012 |
| Journal/Collection: | Вісник Національного університету “Львівська політехніка” |
| Issue: | 740 : Фізико-математичні науки |
| Publisher: | Видавництво Львівської політехніки |
| Place of the edition/event: | Львів |
| UDC: | 621.315.592 |
| Keywords: | явища переносу розсіяння носіїв заряду нітрид Індію transport phenomena charge carrier scattering indium nitride явления переноса рассеяние носителей заряда нитрид индия |
| Number of pages: | 5 |
| Page range: | 100-104 |
| Start page: | 100 |
| End page: | 104 |
| Abstract: | Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в зразку ІпМ зі структурою вюртциту та з концентрацією електронів ~ 6 х 1017см_3. Розраховано температурну залежність рухливості електронів в інтервалі 4.2 — 560 К. The processes of the electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in wurtzite InN sample with electron concentration ~ 6 x 1017 cm~3 are considered. The temperature dependence of the electron mobility in the temperature range 4.2 — 560 K is calculated. Рассмотрены процессы россеяния электронов на близкодействующем потенциале, обусловленном взаимодействием с полярными и неполярными оптическими фононами, пьезоэлектрическими и акустическими фононами, статической деформации, нейтральной и заряженной примеси в образцах СаМ со структурой вюртцита и концентрацией электронов ~ 6 х 1017см_3. Рассчитана температурная зависимость подвижности электронов в интервале 4.2 — 560 К. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47229 |
| Copyright owner: | © Національний університет „Львівська політехніка“, 2012 |
| References (Ukraine): | [1] Look D.C., Lu H., Scha- W.J., Jansinski J., Liliental-Weber Z. // Appl. Phys. Lett. - 2002. - 80. - Ð.258-260. [2] Ikuta K., Inoue Y., Takai O. // Thin Solid Films. -1998. - 334. - P.49-53. [3] Davydov V.Yu. et al. // Phys. Status Solidi B. - 2002. - 229. - R1. [4] Kasic A., Schubert M., Saito Y., Nanishi Y., Wagner G. // Phys. Rev. B. - 2002. - 65. - 115206. [5] Wu J. et al. // Appl. Phys. Lett. - 2002. - 80. - P.3967-3969. [6] Jain S.C., Willander M., Narayan J., Van Overstraeten R. // J. Appl. Phys. - 2000. - 87. - P.965-1006. [7] Matsuoka T., Okamoto H., Nakao M., Harima H., Kurimoto E. // Appl. Phys. Lett. - 2002. - 81. - P.1246-1248. [8] Nag B.R. // J. Cryst. Growth. - 2004. - 269. - P.35-40. [9] O'Leary S.K., Foutz B.E., Shur M.S., Bhapkar U.V., Eastman L.F. // J. Appl. Phys. - 1998. - 83. - P.826-829. [10] Thakur J.S., Naik R., Naik V.M., Haddad D., Auner G.W., Lu H., Scha- W.J. // J. Appl. Phys. - 2006. - 99. - 023504. [11] Malyk O.P. // Mater. Sci. & Engineering B. - 2006. - 129. - P.161-171. [12] O.P .Malyk // Phys. Status Solidi C. - 2009. - 6. - P.S86-S89. [13] Malyk O.P. // Physica B:Condensed Matter. - 2009. -404. - P.5022-5024. [14] Malyk O.P. // Phys. Status Solidi C. - 2012. - 9. -P.842-846. [15] Malyk O.P. // Diamond Relat. Mater. - 2012. - 23. -P.23-27. [16] Malyk O.P. // WSEAS Trans. Math. - 2004. - 3. - P.354- 357. [17] Chin V.W.L., Tansley T.L. and Osotchan T. // J. Appl. Phys. - 1994.- 75. - P.7365-7372. [18] Wu J., Walukiewicz W., Shan W., Yu K.M., Ager J.W. et al. // J. Appl. Phys. 2003. - 94. - P.4457-4460. [19] Morkoc H. Nitride semiconductors and devices. StateBerlin, CityplaceHeidelberg, StateNew York: Springer; 1999. [20] Blacha A., Presting H., Cardona M. // Phys. Stat. Sol.(b). - 1984. - 126. - P.11-36. [21] Aydogu S., Ozbas O. // Mater. Sci. Semicond. Proc. - 2005. - 8. - D.536-539. [22] Rodridgues C.G., Freire V.N., Vasconcellos A.R., Luzzi R. // Mater. Res. - 2002. - 6. - P.1-4. [23] Bechstedt F., Furthmuller J., Ferhat M., Teles L.K., Scolfaro L.M.R. et al // Phys Stat Sol.(a). - 2003. - 195. - P.628-633. |
| References (International): | [1] Look D.C., Lu H., Scha- W.J., Jansinski J., Liliental-Weber Z., Appl. Phys. Lett, 2002, 80, Ð.258-260. [2] Ikuta K., Inoue Y., Takai O., Thin Solid Films. -1998, 334, P.49-53. [3] Davydov V.Yu. et al., Phys. Status Solidi B, 2002, 229, R1. [4] Kasic A., Schubert M., Saito Y., Nanishi Y., Wagner G., Phys. Rev. B, 2002, 65, 115206. [5] Wu J. et al., Appl. Phys. Lett, 2002, 80, P.3967-3969. [6] Jain S.C., Willander M., Narayan J., Van Overstraeten R., J. Appl. Phys, 2000, 87, P.965-1006. [7] Matsuoka T., Okamoto H., Nakao M., Harima H., Kurimoto E., Appl. Phys. Lett, 2002, 81, P.1246-1248. [8] Nag B.R., J. Cryst. Growth, 2004, 269, P.35-40. [9] O'Leary S.K., Foutz B.E., Shur M.S., Bhapkar U.V., Eastman L.F., J. Appl. Phys, 1998, 83, P.826-829. [10] Thakur J.S., Naik R., Naik V.M., Haddad D., Auner G.W., Lu H., Scha- W.J., J. Appl. Phys, 2006, 99, 023504. [11] Malyk O.P., Mater. Sci. & Engineering B, 2006, 129, P.161-171. [12] O.P .Malyk, Phys. Status Solidi C, 2009, 6, P.S86-S89. [13] Malyk O.P., Physica B:Condensed Matter, 2009. -404, P.5022-5024. [14] Malyk O.P., Phys. Status Solidi C, 2012, 9. -P.842-846. [15] Malyk O.P., Diamond Relat. Mater, 2012, 23. -P.23-27. [16] Malyk O.P., WSEAS Trans. Math, 2004, 3, P.354- 357. [17] Chin V.W.L., Tansley T.L. and Osotchan T., J. Appl. Phys, 1994, 75, P.7365-7372. [18] Wu J., Walukiewicz W., Shan W., Yu K.M., Ager J.W. et al., J. Appl. Phys. 2003, 94, P.4457-4460. [19] Morkoc H. Nitride semiconductors and devices. StateBerlin, CityplaceHeidelberg, StateNew York: Springer; 1999. [20] Blacha A., Presting H., Cardona M., Phys. Stat. Sol.(b), 1984, 126, P.11-36. [21] Aydogu S., Ozbas O., Mater. Sci. Semicond. Proc, 2005, 8, D.536-539. [22] Rodridgues C.G., Freire V.N., Vasconcellos A.R., Luzzi R., Mater. Res, 2002, 6, P.1-4. [23] Bechstedt F., Furthmuller J., Ferhat M., Teles L.K., Scolfaro L.M.R. et al, Phys Stat Sol.(a), 2003, 195, P.628-633. |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Фізико-математичні науки. – 2012. – №740 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 2012n740_Malyk_O_P-The_short_range_principle_100-104.pdf | 788.11 kB | Adobe PDF | View/Open | |
| 2012n740_Malyk_O_P-The_short_range_principle_100-104__COVER.png | 462.78 kB | image/png | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.