Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/46462
Title: Character of Interaction and Glass Formation in the TlAs2Se3Te-TlAs2Te3Se System
Other Titles: Характер взаємодії та склоутворення в системі TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se
Authors: Aliev, Imir
Ahmedova, Ceyran
Aliev, Ikram
Kuli-zade, Esmira
Affiliation: Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after academician M. Nagiyev
Adiyaman State University
Bibliographic description (Ukraine): Character of Interaction and Glass Formation in the TlAs2Se3Te-TlAs2Te3Se System / Imir Aliev, Ceyran Ahmedova, Ikram Aliev, Esmira Kuli-zade // Chemistry & Chemical Technology. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2019. — Vol 13. — No 2. — P. 236–239.
Bibliographic description (International): Character of Interaction and Glass Formation in the TlAs2Se3Te-TlAs2Te3Se System / Imir Aliev, Ceyran Ahmedova, Ikram Aliev, Esmira Kuli-zade // Chemistry & Chemical Technology. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2019. — Vol 13. — No 2. — P. 236–239.
Is part of: Chemistry & Chemical Technology, 2 (13), 2019
Issue: 2
Issue Date: 28-Feb-2019
Publisher: Видавництво Львівської політехніки
Lviv Politechnic Publishing House
Place of the edition/event: Львів
Lviv
Keywords: конгруентно
евтектичні
квазібінарні
тверді розчини
халькогеніди
congruently
eutectic
quasi-binary
solid solutions
chalcogenides
Number of pages: 4
Page range: 236-239
Start page: 236
End page: 239
Abstract: Характер взаємодії в системі TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se досліджено за допомогою диференційного терміч- ного, рентгеноструктурного та мікроструктурного методів, а також внаслідок вимірювання мікротвердості та визна- чення густини. На основі одержаних результатів побудовано діаграму стану. Встановлено, що ділянка TlAs2Se3Te– TlAs2Te3Se частково є квазібінарною секцією четвертинної системи As, Tl//Se, Te. Показано, що за температури 548 K у системі утворюється одна конгруентноплавка сполука TlAs2Se2Te2. Визначено, що область розчинності твердих розчинів на основі TlAs2Se3Te за кімнатної температури досягають 10% мол. TlAs2Te3Se, а сполуки на основі TlAs2Te3Se практично не спостерігаються. Показано, що всі отримані зразки склоподібні.
The character of the interaction in the TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se system was studied by the methods of DTA, RFA, MSA, and also by measuring the microhardness and determining the density. State diagram of the system was constructed. It was established that the TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se system is partially a quasibinary section of the quaternary As, Tl//Se, Te system. One congruently melting compound TlAs2Se2Te2 is formed in the system at 548 K. Solid solutions based on TlAs2Se3Te at room temperature reach up to 10 mol % TlAs2Te3Se, and solid solutions on the basis of TlAs2Te3Se are practically not detected. All the samples obtained are vitreous.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/46462
Copyright owner: © Національний університет „Львівська політехніка“, 2019
© Aliyev I., Ahmedova C., Aliyev Ik., Kuli-zade E., 2019
URL for reference material: https://doi.org/10.1016/S0022-3093(00)00072-7
https://doi.org/10.1364/OE.14.008088
https://doi.org/10.23939/chcht11.02.138
https://doi.org/10.1134/S00.6023608060259
https://doi.org/10.1134/S0036023607020234
References (Ukraine): 1. Hari P., Cheneya C., Luepkea G. et al.: J. Non-Crystal. Solid., 2000, 270, 265. https://doi.org/10.1016/S0022-3093(00)00072-7
2. Iovu M., Shutov C., Rebeja S., Colomeyco E.: J. Optoelectron. Adv. Mater., 2000, 2, 53.
3. Littler I., Fu L., Mägi E. et al.:J. Opt. Express, 2006, 14, 8088. https://doi.org/10.1364/OE.14.008088
4. Hineva Т., Petkova Т.,Popov С. et al.: J. Optoelectron. Adv. Mater., 2007, 9, 326.
5. Babaiev A., Muradov R., Sultanov S., Askhabov A.: Neorg. Materialy, 2008, 44, 1319.
6. Aliyev I., Ahmedova C., Farzaliyev A.: Chem. Chem. Technol., 2017, 11, 138. https://doi.org/10.23939/chcht11.02.138
7. Aliyev I., BabanlyM., Farzaliev A.: XI Int. Conf. on the Physics and Technology of Thin Films. Ukraine, Ivano-Frankivsk, 7-12May 2007, 86.
8. Aliyev I., Aliyev I.G., Farzaliev A., Veliev D.: Rus. J. Inorg. Chem., 2008, 53, 962. https://doi.org/10.1134/S00.6023608060259
9. Veliev D., Aliyev I., Mamedova A.: Zh. Neorg. Khim., 2007, 52, 312.
10. Farzaliev A., Aliyev I., Aliyev O., Aliyev I.G.: Chem. Problems, 2006, 2, 269. https://doi.org/10.1134/S0036023607020234
11. Vorobyev Yu., Velikova N., Kirilenko V., Shchelkov R.: Neorg. Materialy, 1987, 23, 1110.
12. Aliyev I.: Doct. thesis. Physicochemical basis for obtaining new materials in chalcogenide systems of arsenic with indium and thallium chalcogenides. Baku 1992.
References (International): 1. Hari P., Cheneya C., Luepkea G. et al., J. Non-Crystal. Solid., 2000, 270, 265. https://doi.org/10.1016/S0022-3093(00)00072-7
2. Iovu M., Shutov C., Rebeja S., Colomeyco E., J. Optoelectron. Adv. Mater., 2000, 2, 53.
3. Littler I., Fu L., Mägi E. et al.:J. Opt. Express, 2006, 14, 8088. https://doi.org/10.1364/OE.14.008088
4. Hineva T., Petkova T.,Popov S. et al., J. Optoelectron. Adv. Mater., 2007, 9, 326.
5. Babaiev A., Muradov R., Sultanov S., Askhabov A., Neorg. Materialy, 2008, 44, 1319.
6. Aliyev I., Ahmedova C., Farzaliyev A., Chem. Chem. Technol., 2017, 11, 138. https://doi.org/10.23939/chcht11.02.138
7. Aliyev I., BabanlyM., Farzaliev A., XI Int. Conf. on the Physics and Technology of Thin Films. Ukraine, Ivano-Frankivsk, 7-12May 2007, 86.
8. Aliyev I., Aliyev I.G., Farzaliev A., Veliev D., Rus. J. Inorg. Chem., 2008, 53, 962. https://doi.org/10.1134/S00.6023608060259
9. Veliev D., Aliyev I., Mamedova A., Zh. Neorg. Khim., 2007, 52, 312.
10. Farzaliev A., Aliyev I., Aliyev O., Aliyev I.G., Chem. Problems, 2006, 2, 269. https://doi.org/10.1134/S0036023607020234
11. Vorobyev Yu., Velikova N., Kirilenko V., Shchelkov R., Neorg. Materialy, 1987, 23, 1110.
12. Aliyev I., Doct. thesis. Physicochemical basis for obtaining new materials in chalcogenide systems of arsenic with indium and thallium chalcogenides. Baku 1992.
Content type: Article
Appears in Collections:Chemistry & Chemical Technology. – 2019. – Vol. 13, No. 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2019v13n2_Aliev_I-Character_of_Interaction_236-239.pdf265.22 kBAdobe PDFView/Open
2019v13n2_Aliev_I-Character_of_Interaction_236-239__COVER.png511.38 kBimage/pngView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.