Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/46462
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorAliev, Imir
dc.contributor.authorAhmedova, Ceyran
dc.contributor.authorAliev, Ikram
dc.contributor.authorKuli-zade, Esmira
dc.date.accessioned2020-03-02T12:28:07Z-
dc.date.available2020-03-02T12:28:07Z-
dc.date.created2019-02-28
dc.date.issued2019-02-28
dc.identifier.citationCharacter of Interaction and Glass Formation in the TlAs2Se3Te-TlAs2Te3Se System / Imir Aliev, Ceyran Ahmedova, Ikram Aliev, Esmira Kuli-zade // Chemistry & Chemical Technology. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2019. — Vol 13. — No 2. — P. 236–239.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/46462-
dc.description.abstractХарактер взаємодії в системі TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se досліджено за допомогою диференційного терміч- ного, рентгеноструктурного та мікроструктурного методів, а також внаслідок вимірювання мікротвердості та визна- чення густини. На основі одержаних результатів побудовано діаграму стану. Встановлено, що ділянка TlAs2Se3Te– TlAs2Te3Se частково є квазібінарною секцією четвертинної системи As, Tl//Se, Te. Показано, що за температури 548 K у системі утворюється одна конгруентноплавка сполука TlAs2Se2Te2. Визначено, що область розчинності твердих розчинів на основі TlAs2Se3Te за кімнатної температури досягають 10% мол. TlAs2Te3Se, а сполуки на основі TlAs2Te3Se практично не спостерігаються. Показано, що всі отримані зразки склоподібні.
dc.description.abstractThe character of the interaction in the TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se system was studied by the methods of DTA, RFA, MSA, and also by measuring the microhardness and determining the density. State diagram of the system was constructed. It was established that the TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se system is partially a quasibinary section of the quaternary As, Tl//Se, Te system. One congruently melting compound TlAs2Se2Te2 is formed in the system at 548 K. Solid solutions based on TlAs2Se3Te at room temperature reach up to 10 mol % TlAs2Te3Se, and solid solutions on the basis of TlAs2Te3Se are practically not detected. All the samples obtained are vitreous.
dc.format.extent236-239
dc.language.isoen
dc.publisherВидавництво Львівської політехніки
dc.publisherLviv Politechnic Publishing House
dc.relation.ispartofChemistry & Chemical Technology, 2 (13), 2019
dc.relation.urihttps://doi.org/10.1016/S0022-3093(00)00072-7
dc.relation.urihttps://doi.org/10.1364/OE.14.008088
dc.relation.urihttps://doi.org/10.23939/chcht11.02.138
dc.relation.urihttps://doi.org/10.1134/S00.6023608060259
dc.relation.urihttps://doi.org/10.1134/S0036023607020234
dc.subjectконгруентно
dc.subjectевтектичні
dc.subjectквазібінарні
dc.subjectтверді розчини
dc.subjectхалькогеніди
dc.subjectcongruently
dc.subjecteutectic
dc.subjectquasi-binary
dc.subjectsolid solutions
dc.subjectchalcogenides
dc.titleCharacter of Interaction and Glass Formation in the TlAs2Se3Te-TlAs2Te3Se System
dc.title.alternativeХарактер взаємодії та склоутворення в системі TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se
dc.typeArticle
dc.rights.holder© Національний університет „Львівська політехніка“, 2019
dc.rights.holder© Aliyev I., Ahmedova C., Aliyev Ik., Kuli-zade E., 2019
dc.contributor.affiliationInstitute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after academician M. Nagiyev
dc.contributor.affiliationAdiyaman State University
dc.format.pages4
dc.identifier.citationenCharacter of Interaction and Glass Formation in the TlAs2Se3Te-TlAs2Te3Se System / Imir Aliev, Ceyran Ahmedova, Ikram Aliev, Esmira Kuli-zade // Chemistry & Chemical Technology. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2019. — Vol 13. — No 2. — P. 236–239.
dc.relation.references1. Hari P., Cheneya C., Luepkea G. et al.: J. Non-Crystal. Solid., 2000, 270, 265. https://doi.org/10.1016/S0022-3093(00)00072-7
dc.relation.references2. Iovu M., Shutov C., Rebeja S., Colomeyco E.: J. Optoelectron. Adv. Mater., 2000, 2, 53.
dc.relation.references3. Littler I., Fu L., Mägi E. et al.:J. Opt. Express, 2006, 14, 8088. https://doi.org/10.1364/OE.14.008088
dc.relation.references4. Hineva Т., Petkova Т.,Popov С. et al.: J. Optoelectron. Adv. Mater., 2007, 9, 326.
dc.relation.references5. Babaiev A., Muradov R., Sultanov S., Askhabov A.: Neorg. Materialy, 2008, 44, 1319.
dc.relation.references6. Aliyev I., Ahmedova C., Farzaliyev A.: Chem. Chem. Technol., 2017, 11, 138. https://doi.org/10.23939/chcht11.02.138
dc.relation.references7. Aliyev I., BabanlyM., Farzaliev A.: XI Int. Conf. on the Physics and Technology of Thin Films. Ukraine, Ivano-Frankivsk, 7-12May 2007, 86.
dc.relation.references8. Aliyev I., Aliyev I.G., Farzaliev A., Veliev D.: Rus. J. Inorg. Chem., 2008, 53, 962. https://doi.org/10.1134/S00.6023608060259
dc.relation.references9. Veliev D., Aliyev I., Mamedova A.: Zh. Neorg. Khim., 2007, 52, 312.
dc.relation.references10. Farzaliev A., Aliyev I., Aliyev O., Aliyev I.G.: Chem. Problems, 2006, 2, 269. https://doi.org/10.1134/S0036023607020234
dc.relation.references11. Vorobyev Yu., Velikova N., Kirilenko V., Shchelkov R.: Neorg. Materialy, 1987, 23, 1110.
dc.relation.references12. Aliyev I.: Doct. thesis. Physicochemical basis for obtaining new materials in chalcogenide systems of arsenic with indium and thallium chalcogenides. Baku 1992.
dc.relation.referencesen1. Hari P., Cheneya C., Luepkea G. et al., J. Non-Crystal. Solid., 2000, 270, 265. https://doi.org/10.1016/S0022-3093(00)00072-7
dc.relation.referencesen2. Iovu M., Shutov C., Rebeja S., Colomeyco E., J. Optoelectron. Adv. Mater., 2000, 2, 53.
dc.relation.referencesen3. Littler I., Fu L., Mägi E. et al.:J. Opt. Express, 2006, 14, 8088. https://doi.org/10.1364/OE.14.008088
dc.relation.referencesen4. Hineva T., Petkova T.,Popov S. et al., J. Optoelectron. Adv. Mater., 2007, 9, 326.
dc.relation.referencesen5. Babaiev A., Muradov R., Sultanov S., Askhabov A., Neorg. Materialy, 2008, 44, 1319.
dc.relation.referencesen6. Aliyev I., Ahmedova C., Farzaliyev A., Chem. Chem. Technol., 2017, 11, 138. https://doi.org/10.23939/chcht11.02.138
dc.relation.referencesen7. Aliyev I., BabanlyM., Farzaliev A., XI Int. Conf. on the Physics and Technology of Thin Films. Ukraine, Ivano-Frankivsk, 7-12May 2007, 86.
dc.relation.referencesen8. Aliyev I., Aliyev I.G., Farzaliev A., Veliev D., Rus. J. Inorg. Chem., 2008, 53, 962. https://doi.org/10.1134/S00.6023608060259
dc.relation.referencesen9. Veliev D., Aliyev I., Mamedova A., Zh. Neorg. Khim., 2007, 52, 312.
dc.relation.referencesen10. Farzaliev A., Aliyev I., Aliyev O., Aliyev I.G., Chem. Problems, 2006, 2, 269. https://doi.org/10.1134/S0036023607020234
dc.relation.referencesen11. Vorobyev Yu., Velikova N., Kirilenko V., Shchelkov R., Neorg. Materialy, 1987, 23, 1110.
dc.relation.referencesen12. Aliyev I., Doct. thesis. Physicochemical basis for obtaining new materials in chalcogenide systems of arsenic with indium and thallium chalcogenides. Baku 1992.
dc.citation.issue2
dc.citation.spage236
dc.citation.epage239
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
Appears in Collections:Chemistry & Chemical Technology. – 2019. – Vol. 13, No. 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2019v13n2_Aliev_I-Character_of_Interaction_236-239.pdf265.22 kBAdobe PDFView/Open
2019v13n2_Aliev_I-Character_of_Interaction_236-239__COVER.png511.38 kBimage/pngView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.