https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/45264
Title: | Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів |
Authors: | Готра, З. Ю. Голяка, Р. Л. Гладун, М. Р. Гуменюк, І. А. |
Affiliation: | Національний університет “Львівська політехніка” |
Bibliographic description (Ukraine): | Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів / З. Ю. Готра, Р. Л. Голяка, М. Р. Гладун, І. А. Гуменюк // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 15–19. |
Bibliographic description (International): | Doslidzhennia vplyvu zmishchennia pidkladky ionno-selektyvnykh polovykh tranzystoriv na parametry khimichnykh sensoriv / Z. Yu. Hotra, R. L. Holiaka, M. R. Hladun, I. A. Humeniuk // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 15–19. |
Is part of: | Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки, 2002 |
Journal/Collection: | Вісник Національного університету “Львівська політехніка” |
Issue: | 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки |
Issue Date: | 26-Mar-2002 |
Publisher: | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” |
Place of the edition/event: | Львів |
UDC: | 621.382 |
Number of pages: | 5 |
Page range: | 15-19 |
Start page: | 15 |
End page: | 19 |
Abstract: | Досліджено вплив потенціалу підкладки іонно-селективних польових транзисторів (ІСПТ) на вихідний сигнал хімічних сенсорів, зокрема рН-метрів,
Показано, що в багатьох відомих хімічних сенсорах, які використовують схему з заземленим опорним електродом (затвором ІСПТ), нестабільність зміщення р-ппереходу підкладка-внтік має негативний вплив на характеристики сенсорів.
Проведено дослідження та подано аналітичне описання впливу “ефекту підкладки” на характеристики іонно-селективного польового транзистора The influence of substrate potential of ion-selective field effect transistor (ISFET) on output signal of chemical sensors, particularly Ph-meters, is studied. It is shown that in series of well-known chemical sensors which use circuit with ground reference electrode (ISFET gate) the instability of substrate-source p-n junction influences negatively on sensor characteristics. The influence of “substrate effect” on ISFET characteristics is studied experimentally and analytically. |
URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45264 |
Copyright owner: | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2002 © Готра З. Ю., Голяка Р. Л., Гладун М.Р., Гуменюк І. А., 2002 |
References (Ukraine): | 1. Bohuslav Palan, Filipe Vincidos Santos, Jean-Michel Karani. A new ISFET Sensor Interface Circuit. Euro sensors XII. September, 1998. Proceedings. - PP. 171-174. 2. Gumenjuk S., Podlepetsky B., Nikiforova M., Ledovsky K. Evaluation of hydrogensen sitivity and measuring range of integrated M ISFET sensors bymeans of testing the elec trical characte ristics of sensing elements. Eurosensors XII. September, 1998. Proceedings. - PP. 1052 - 1055, 3. MOS Integrated Circuits. Edited by William M.Penney, Lilian Lau. Micro electronics Series, 1972. - 527 p. |
References (International): | 1. Bohuslav Palan, Filipe Vincidos Santos, Jean-Michel Karani. A new ISFET Sensor Interface Circuit. Euro sensors XII. September, 1998. Proceedings, PP. 171-174. 2. Gumenjuk S., Podlepetsky B., Nikiforova M., Ledovsky K. Evaluation of hydrogensen sitivity and measuring range of integrated M ISFET sensors bymeans of testing the elec trical characte ristics of sensing elements. Eurosensors XII. September, 1998. Proceedings, PP. 1052 - 1055, 3. MOS Integrated Circuits. Edited by William M.Penney, Lilian Lau. Micro electronics Series, 1972, 527 p. |
Content type: | Article |
Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.