https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/45264| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Готра, З. Ю. | |
| dc.contributor.author | Голяка, Р. Л. | |
| dc.contributor.author | Гладун, М. Р. | |
| dc.contributor.author | Гуменюк, І. А. | |
| dc.date.accessioned | 2019-08-21T13:26:20Z | - |
| dc.date.available | 2019-08-21T13:26:20Z | - |
| dc.date.created | 2002-03-26 | |
| dc.date.issued | 2002-03-26 | |
| dc.identifier.citation | Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів / З. Ю. Готра, Р. Л. Голяка, М. Р. Гладун, І. А. Гуменюк // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 15–19. | |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45264 | - |
| dc.description.abstract | Досліджено вплив потенціалу підкладки іонно-селективних польових транзисторів (ІСПТ) на вихідний сигнал хімічних сенсорів, зокрема рН-метрів, Показано, що в багатьох відомих хімічних сенсорах, які використовують схему з заземленим опорним електродом (затвором ІСПТ), нестабільність зміщення р-ппереходу підкладка-внтік має негативний вплив на характеристики сенсорів. Проведено дослідження та подано аналітичне описання впливу “ефекту підкладки” на характеристики іонно-селективного польового транзистора | |
| dc.description.abstract | The influence of substrate potential of ion-selective field effect transistor (ISFET) on output signal of chemical sensors, particularly Ph-meters, is studied. It is shown that in series of well-known chemical sensors which use circuit with ground reference electrode (ISFET gate) the instability of substrate-source p-n junction influences negatively on sensor characteristics. The influence of “substrate effect” on ISFET characteristics is studied experimentally and analytically. | |
| dc.format.extent | 15-19 | |
| dc.language.iso | uk | |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” | |
| dc.relation.ispartof | Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки, 2002 | |
| dc.title | Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів | |
| dc.type | Article | |
| dc.rights.holder | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2002 | |
| dc.rights.holder | © Готра З. Ю., Голяка Р. Л., Гладун М.Р., Гуменюк І. А., 2002 | |
| dc.contributor.affiliation | Національний університет “Львівська політехніка” | |
| dc.format.pages | 5 | |
| dc.identifier.citationen | Doslidzhennia vplyvu zmishchennia pidkladky ionno-selektyvnykh polovykh tranzystoriv na parametry khimichnykh sensoriv / Z. Yu. Hotra, R. L. Holiaka, M. R. Hladun, I. A. Humeniuk // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 15–19. | |
| dc.relation.references | 1. Bohuslav Palan, Filipe Vincidos Santos, Jean-Michel Karani. A new ISFET Sensor Interface Circuit. Euro sensors XII. September, 1998. Proceedings. - PP. 171-174. | |
| dc.relation.references | 2. Gumenjuk S., Podlepetsky B., Nikiforova M., Ledovsky K. Evaluation of hydrogensen sitivity and measuring range of integrated M ISFET sensors bymeans of testing the elec trical characte ristics of sensing elements. Eurosensors XII. September, 1998. Proceedings. - PP. 1052 - 1055, | |
| dc.relation.references | 3. MOS Integrated Circuits. Edited by William M.Penney, Lilian Lau. Micro electronics Series, 1972. - 527 p. | |
| dc.relation.referencesen | 1. Bohuslav Palan, Filipe Vincidos Santos, Jean-Michel Karani. A new ISFET Sensor Interface Circuit. Euro sensors XII. September, 1998. Proceedings, PP. 171-174. | |
| dc.relation.referencesen | 2. Gumenjuk S., Podlepetsky B., Nikiforova M., Ledovsky K. Evaluation of hydrogensen sitivity and measuring range of integrated M ISFET sensors bymeans of testing the elec trical characte ristics of sensing elements. Eurosensors XII. September, 1998. Proceedings, PP. 1052 - 1055, | |
| dc.relation.referencesen | 3. MOS Integrated Circuits. Edited by William M.Penney, Lilian Lau. Micro electronics Series, 1972, 527 p. | |
| dc.citation.journalTitle | Вісник Національного університету “Львівська політехніка” | |
| dc.citation.issue | 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки | |
| dc.citation.spage | 15 | |
| dc.citation.epage | 19 | |
| dc.coverage.placename | Львів | |
| dc.subject.udc | 621.382 | |
| Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454 | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.