Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/4388
Title: Теоретична модель одноелектронного транзистора
Authors: Павлишин, В.
Закалик, Л.
Корж, Р.
Bibliographic description (Ukraine): Павлишин В. Теоретична модель одноелектронного транзистора / В. Павлишин, Л. Закалик, Р. Корж // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2007. – № 591 : Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика. – С. 91–94. – Бібліографія: 12 назв.
Issue Date: 2007
Publisher: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Keywords: модель одноелектронного транзистора
“кулонівська блокада”
фізична моделю
Abstract: Розглянуто фізичну модель одноелектронного транзистора, в якій враховано “кулонівську блокаду”, що створює робочий канал розміром меншим за 10 нм. A physical model of single-electron transistor is discussed in present article. This model considers also Koulon-blocade created by a working channel of transistor which is < 10 nm.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/4388
Content type: Article
Appears in Collections:Комп'ютерні системи проектування теорія і практика. – 2007. – №591

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
16.pdf265.95 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.