| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Дружинін, А. О. | - |
| dc.contributor.author | Лавитська, О. М. | - |
| dc.contributor.author | Варшава, С. С. | - |
| dc.contributor.author | Островський, І. П. | - |
| dc.contributor.author | Лях, Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-16T09:09:59Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-16T09:09:59Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Низькотемпературний транспорт носіїв заряду в складнолегованих ниткоподібних кристалах Sі-Gе / А. О. Дружинін, О. М. Лавитська, С. С. Варшава, І. П. Островський, Н. Лях // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 423 : Електроніка. – С. 76–80. – Бібліографія: 11 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42502 | - |
| dc.description.abstract | Вивченно електричні параметри НК Si-Ge в температурній області 4,2-300 К. Досліджено НК Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат.%, вирощених в легуючих системах з домішками B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt. Оцінено енергії активації 0,018 та 0,32 еВ у кристалах, легованих B і Zn, відповідно. У НК проявляються мікро- та макронеоднорідності. Встановлено, що НК, вирощені з домішками Hf та Au, є фоточутливі. The present paper deals with a study of Si-Ge whisker in the temperature range 4.2-300K. Si-Ge whiskers with compositions (up to 3at.% Ge) grown in doped system of B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt were under investigation. Activation energies 0,018 and 0.32eV of crystals doped with B, Zn impurities, respectively, were calculated. Micro- and macro-inhomogeneties are found in the whiskers. The whiskers doped with Hf and Au was shown to be photosensitive. | uk_UA |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.title | Низькотемпературний транспорт носіїв заряду в складнолегованих ниткоподібних кристалах Sі-Gе | uk_UA |
| dc.title.alternative | Low temperature transport of charge carrsers in Si-Ge whiskers with complex doping | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.rights.holder | © Дружинін A.O., Лавитська O.M., Варшава C.C., Островський І.П., Лях Н., 2001 | uk_UA |
| dc.contributor.affiliation | Національний університет "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.coverage.country | UA | uk_UA |
| dc.format.pages | 76–80 | - |
| dc.relation.references | 1. Бакиров М.Я. Электронные приборы на основе твердых растворов Ge-Si. - Баку, 1986.- 140 с.2. Байцар Р.1., Варшава С.С., Островський 1.П.// Вісник ДУ «Львівська політехніка», 1999. - №382. - С.3-7. 3. Байцар Р.1., Варшава С.С., Островська А.С., Пелех Л.М. // Вісник ДУ «Львівська політехніка», 1995. - №q289. - С. 3-8. 4. Ибрагимов Р.Ш., Палкин А.М. // ФТП, 1979, - 13. - № 9, - С.1688-1692. 5. Baitsar R\, Vainberg V.V., Varshava S.S. // Journal de Physique \ \\. - 1996. - 6. - C. 3-434. 6. Шалимова Н.Ф. Физика полупроводников. - М., 1985. 7. Шкловский Б.И., Эфрос А.А. Электронные свойства легированных полупроводников. - М., 1997. - 416 с. 8. Chroboczek J.A., Pollak F.H., Staunton H.F. Impurity conduction in silicon and effect of uniaxial compression on p-type Si. - Phil. Mag. B., 1984. - 50. - №1. - P.113-156. 9. Милнс А.Г. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. - М., 1973. 10. Горнык В.С. // ФТП, 1994. - 28. - №2. - С.228-231. 11. Иванов Ю.Л., Рывкин С.М. // ФТТ, - 1963. - 5, Вып.12. - С. 3541 - 3544. | uk_UA |
| dc.citation.journalTitle | Електроніка | - |
| dc.coverage.placename | Львів | uk_UA |
| dc.subject.udc | 621.315.592 | uk_UA |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2001. – №423
|
