Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/40167
Title: Deep Levels in β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mg2+ Ions
Authors: Luchechko, A.
Vasyltsiv, V.
Kostyk, L.
Tsvetkova, O.
Affiliation: Department of Sensor and Semiconductor Electronics, Ivan Franko National University of Lviv
Tarnanavskogo Str., 79017 Lviv, Ukraine
luchechko@electronics.lnu.edu.ua
Bibliographic description (Ukraine): Deep Levels in β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mg2+ Ions / A. Luchechko, V. Vasyltsiv, L. Kostyk, O. Tsvetkova // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 56. — (2 active media fundamentals: crystal structure and defects).
Bibliographic description (International): Deep Levels in β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mg2+ Ions / A. Luchechko, V. Vasyltsiv, L. Kostyk, O. Tsvetkova // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 56. — (2 active media fundamentals: crystal structure and defects).
Is part of: Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції, 2017
Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, 2017
Conference/Event: Міжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування"
Journal/Collection: Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції
Issue Date: 29-May-2017
Place of the edition/event: Львів
Lviv
Temporal Coverage: 29 травня–2 червня, 2017 Львів, Україна
May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine
Number of pages: 1
Page range: 56
Start page: 56
End page: 56
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40167
Copyright owner: © Національний університет “Львівська політехніка”, 2017
References (International): [1] K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui and S. Yamakoshi, IEEE Electron Device Lett. 34 (2013)493-495.
[2] M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 013504.
Content type: Conference Abstract
Appears in Collections:Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
OMEE_2017_Luchechko_A-Deep_Levels_in_b_Ga2O3_Single_56.pdf59.52 kBAdobe PDFView/Open
OMEE_2017_Luchechko_A-Deep_Levels_in_b_Ga2O3_Single_56__COVER.png1.24 MBimage/pngView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.