https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/40167
Title: | Deep Levels in β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mg2+ Ions |
Authors: | Luchechko, A. Vasyltsiv, V. Kostyk, L. Tsvetkova, O. |
Affiliation: | Department of Sensor and Semiconductor Electronics, Ivan Franko National University of Lviv Tarnanavskogo Str., 79017 Lviv, Ukraine luchechko@electronics.lnu.edu.ua |
Bibliographic description (Ukraine): | Deep Levels in β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mg2+ Ions / A. Luchechko, V. Vasyltsiv, L. Kostyk, O. Tsvetkova // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 56. — (2 active media fundamentals: crystal structure and defects). |
Bibliographic description (International): | Deep Levels in β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mg2+ Ions / A. Luchechko, V. Vasyltsiv, L. Kostyk, O. Tsvetkova // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 56. — (2 active media fundamentals: crystal structure and defects). |
Is part of: | Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування : збірник
тез міжнародної наукової конференції, 2017 Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, 2017 |
Conference/Event: | Міжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування" |
Journal/Collection: | Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції |
Issue Date: | 29-May-2017 |
Place of the edition/event: | Львів Lviv |
Temporal Coverage: | 29 травня–2 червня, 2017
Львів, Україна May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine |
Number of pages: | 1 |
Page range: | 56 |
Start page: | 56 |
End page: | 56 |
URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40167 |
Copyright owner: | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2017 |
References (International): | [1] K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui and S. Yamakoshi, IEEE Electron Device Lett. 34 (2013)493-495. [2] M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 013504. |
Content type: | Conference Abstract |
Appears in Collections: | Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р. |
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
OMEE_2017_Luchechko_A-Deep_Levels_in_b_Ga2O3_Single_56.pdf | 59.52 kB | Adobe PDF | View/Open | |
OMEE_2017_Luchechko_A-Deep_Levels_in_b_Ga2O3_Single_56__COVER.png | 1.24 MB | image/png | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.