| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Luchechko, A. | |
| dc.contributor.author | Vasyltsiv, V. | |
| dc.contributor.author | Kostyk, L. | |
| dc.contributor.author | Tsvetkova, O. | |
| dc.coverage.temporal | 29 травня–2 червня, 2017
Львів, Україна | |
| dc.coverage.temporal | May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine | |
| dc.date.accessioned | 2018-04-02T13:41:50Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-02T13:41:50Z | - |
| dc.date.created | 2017-05-29 | |
| dc.date.issued | 2017-05-29 | |
| dc.identifier.citation | Deep Levels in β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mg2+ Ions / A. Luchechko, V. Vasyltsiv, L. Kostyk, O. Tsvetkova // Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 56. — (2 active media fundamentals: crystal structure and defects). | |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40167 | - |
| dc.format.extent | 56 | |
| dc.language.iso | en | |
| dc.relation.ispartof | Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування : збірник
тез міжнародної наукової конференції, 2017 | |
| dc.relation.ispartof | Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, 2017 | |
| dc.title | Deep Levels in β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mg2+ Ions | |
| dc.type | Conference Abstract | |
| dc.rights.holder | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2017 | |
| dc.contributor.affiliation | Department of Sensor and Semiconductor Electronics, Ivan Franko National University of Lviv | |
| dc.contributor.affiliation | Tarnanavskogo Str., 79017 Lviv, Ukraine | |
| dc.contributor.affiliation | luchechko@electronics.lnu.edu.ua | |
| dc.format.pages | 1 | |
| dc.identifier.citationen | Deep Levels in β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mg2+ Ions / A. Luchechko, V. Vasyltsiv, L. Kostyk, O. Tsvetkova // Oxide Materials
for Electronic Engineering –
fabrication, properties
and applications : book
of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017
Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 56. — (2 active media fundamentals: crystal structure and defects). | |
| dc.relation.referencesen | [1] K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui and S. Yamakoshi, IEEE Electron Device Lett. 34 (2013)493-495. | |
| dc.relation.referencesen | [2] M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 013504. | |
| dc.citation.conference | Міжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування" | |
| dc.citation.journalTitle | Оксидні матеріали
електронної техніки –
отримання, властивості,
застосування : збірник
тез міжнародної наукової конференції | |
| dc.citation.spage | 56 | |
| dc.citation.epage | 56 | |
| dc.coverage.placename | Львів | |
| dc.coverage.placename | Lviv | |
| Appears in Collections: | Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.
|
