Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/39613
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЗаслонкін, А. В.-
dc.contributor.authorКовалюк, З. Д.-
dc.contributor.authorМінтянський, І. В.-
dc.contributor.authorЯнчук, О. І.-
dc.date.accessioned2018-03-13T10:41:23Z-
dc.date.available2018-03-13T10:41:23Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.citationЕлектричні властивості шаруватих кристалів In2Se3 легованих Cd, J та Cu / А. В. Заслонкін, З. Д. Ковалюк, І. В. Мінтянський, О.І. Янчук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 142–147. – Бібліографія: 4 назви.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39613-
dc.description.abstractУ діапазоні 80-400 К досліджено електричні властивості спеціально нелегованих та легованих 0,1 мас. % кадмію, йоду чи міді монокристалів In2Se3 гексагональної фази. Значна зміна концентрації вільних електронів зафіксована лише при введенні домішки галогену: від 4,910 17 (In2Se3) до 1,6-101 8 см3 при 300 К. Отримана температурна залежність рухливості електронів вздовж шарів пояснена їх взаємодією з акустичними фононами і нейтральними домішками. Встановлено, що найбільш істотно при легуванні змінюється провідність впоперек шарів, зокрема, до 10 разів для In2Se3<Cd>. Electrical properties of layered In2Se3 are investigated between 80 and 400 K for intentionally undoped and containing 0.1 wt.% of cadmium, iodine, or copper single crystals of the hexagonal phase. We have found that the essential change of electron density at 300 K from 4,9-1017 cm-3 for undoped In2Se3 to 1,6-1018 cm-3 takes place after doping with iodine. The obtained changes of the Hall mobility along the layers with temperature are explained by the interactions of electrons with acoustic phonons and neutral impurities. It is established that the conductivity across the layers is the most essentially affected by doping. In particular, for In2Se3<Cd> samples it is increased nearly by two orders of magnitude.uk_UA
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleЕлектричні властивості шаруватих кристалів In2Se3 легованих Cd, J та Cuuk_UA
dc.title.alternativeElectrical properties of layered In2Se3 crystals doped with Cd, I, and Cuuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dc.rights.holderЗаслонкін А. В., Ковалюк З. Д , Мінтянський І. В., Янчук О. І, 2002uk_UA
dc.contributor.affiliationНаціональний університет "Львівська політехніка"uk_UA
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.format.pages142-147-
dc.relation.references1. Micocci G., Tepore A., Rella R., Siciliano P. //Phys. Stat. Sol. -1991. - 126A. - P. 437-442. 2. De Blasi C., Drigo A.V., Micocci G., TeporeA. // J. Cryst. Growth. -1989. - 94. - P. 455-458. 3. Julien C., Eddrief M., Balkanski M., Hatrikraniotis E., Kambas K. // Phys. Stat. Sol. - 1985. - 88A. - P. 687-695. 4. Julien C., Balkanski M. / / Mater. Sci. Eng. - 1996. - B38, № 1. - P. 1-8.uk_UA
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету "Львівська політехніка"-
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.subject.udc621.315.562uk_UA
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №455

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
25_142-147.pdf202.4 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.