Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/38596
Title: Вплив атомів водню на систему Ni-Ge
Authors: Матюшин, В. M.
Мартинюк, P. B.
Bibliographic description (Ukraine): Матюшин В. М. Вплив атомів водню на систему Ni-Ge / В. M. Матюшин, P. B. Мартинюк // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 21–25. – Бібліографія: 14 назв.
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract: Досліджується процес гетеродифузії в германії під впливом атомарного водню на основі модельної системи Ni-Ge. Розглянуто вплив процесу дефекто-утворення на протікання дифузії атомів нікелю в приповерхніх прошарках германію. Розраховано розподіл концентрації нікелю в германії. Запропоновано фізичну модель процесу стимулювання гетеродифузії атомарним воднем з урахуванням впливу дефектів. Based upon a model system Ni-Ge, research of diffusion stimulated by hydrogen atoms is held. It is shown that defect creation processes caused by hydrogen-atom- recombination have a great effect on nickel diffusion in germanium subsurface layers. The nickel-in-germanium concentration distribution is calculated. The physical model of chemistimulated diffusion is suggested.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38596
Content type: Article
Appears in Collections:Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2001. – №427

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
5_21-25.pdf145.43 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.