https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/38596
Title: | Вплив атомів водню на систему Ni-Ge |
Authors: | Матюшин, В. M. Мартинюк, P. B. |
Bibliographic description (Ukraine): | Матюшин В. М. Вплив атомів водню на систему Ni-Ge / В. M. Матюшин, P. B. Мартинюк // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 21–25. – Бібліографія: 14 назв. |
Issue Date: | 2001 |
Publisher: | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” |
Abstract: | Досліджується процес гетеродифузії в германії під впливом атомарного водню на основі модельної системи Ni-Ge. Розглянуто вплив процесу дефекто-утворення на протікання дифузії атомів нікелю в приповерхніх прошарках германію. Розраховано розподіл концентрації нікелю в германії. Запропоновано фізичну модель процесу стимулювання гетеродифузії атомарним воднем з урахуванням впливу дефектів. Based upon a model system Ni-Ge, research of diffusion stimulated by hydrogen atoms is held. It is shown that defect creation processes caused by hydrogen-atom- recombination have a great effect on nickel diffusion in germanium subsurface layers. The nickel-in-germanium concentration distribution is calculated. The physical model of chemistimulated diffusion is suggested. |
URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38596 |
Content type: | Article |
Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2001. – №427 |
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
5_21-25.pdf | 145.43 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.