| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Матюшин, В. M. | - |
| dc.contributor.author | Мартинюк, P. B. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-08-02T09:56:46Z | - |
| dc.date.available | 2017-08-02T09:56:46Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Матюшин В. М. Вплив атомів водню на систему Ni-Ge / В. M. Матюшин, P. B. Мартинюк // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 21–25. – Бібліографія: 14 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38596 | - |
| dc.description.abstract | Досліджується процес гетеродифузії в германії під впливом атомарного водню на основі модельної системи Ni-Ge. Розглянуто вплив процесу дефекто-утворення на протікання дифузії атомів нікелю в приповерхніх прошарках германію. Розраховано розподіл концентрації нікелю в германії. Запропоновано фізичну модель процесу стимулювання гетеродифузії атомарним воднем з урахуванням впливу дефектів.
Based upon a model system Ni-Ge, research of diffusion stimulated by hydrogen atoms is held. It is shown that defect creation processes caused by hydrogen-atom- recombination have a great effect on nickel diffusion in germanium subsurface layers. The nickel-in-germanium concentration distribution is calculated. The physical model of chemistimulated diffusion is suggested. | uk_UA |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” | uk_UA |
| dc.title | Вплив атомів водню на систему Ni-Ge | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2001. – №427
|
