https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/38593| Title: | Числове моделювання росту шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі |
| Authors: | Воронін, В. О. Губа, С. К. Литвін, М. О. Рибачук, В. Г. |
| Bibliographic description (Ukraine): | Числове моделювання росту шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі / В. О. Воронін, С. К. Губа, М. О. Литвін, В. Г. Рибачук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 3–9. – Бібліографія: 10 назв. |
| Issue Date: | 2001 |
| Publisher: | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” |
| Abstract: | Описуються математичні моделі росту шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі в режимах, при яких швидкість росту визначається швидкістю масодоставки реагентів шару, що вирощується на підкладці, дослід¬жуються газодинамічні процеси в реакторах і ріст шарів. Mathematical models of gallium arsenide crystal growth in VPE reactors are considered when the crystal growth rate is controlled by the mass-transfer of the reagents to the substrate. Gas flows is reactors and thin films growth are investigated. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38593 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2001. – №427 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.