https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/38593| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Воронін, В. О. | - |
| dc.contributor.author | Губа, С. К. | - |
| dc.contributor.author | Литвін, М. О. | - |
| dc.contributor.author | Рибачук, В. Г. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-08-02T09:31:45Z | - |
| dc.date.available | 2017-08-02T09:31:45Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Числове моделювання росту шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі / В. О. Воронін, С. К. Губа, М. О. Литвін, В. Г. Рибачук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 3–9. – Бібліографія: 10 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38593 | - |
| dc.description.abstract | Описуються математичні моделі росту шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі в режимах, при яких швидкість росту визначається швидкістю масодоставки реагентів шару, що вирощується на підкладці, дослід¬жуються газодинамічні процеси в реакторах і ріст шарів. Mathematical models of gallium arsenide crystal growth in VPE reactors are considered when the crystal growth rate is controlled by the mass-transfer of the reagents to the substrate. Gas flows is reactors and thin films growth are investigated. | uk_UA |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” | uk_UA |
| dc.title | Числове моделювання росту шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2001. – №427 | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.