Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/35674
Title: Method of parameter control of dielectric layer phase thickness on Si crystal surface
Authors: Kosoboutski, P.
Lobur, М.
Bibliographic description (Ukraine): Kosoboutski P. Method of parameter control of dielectric layer phase thickness on Si crystal surface / P. Kosoboutski, M. Lobur // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 415 : Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика. – C. 71–74. – Бібліографія: 6 назв.
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract: Conditions for the formation of light wave reflection amplitude spectra minima by the three-layer system of interfaces of the type: vacuum - oxide plane-parallel layer (resonator) - bulk crystal in the phonon region are investigated. Analytic expressions connecting the frequency that corresponds to the minimum of reflection contour with the parameters of dielectric films and resonant excitation of bulk TO-phonon are obtained.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/35674
Content type: Article
Appears in Collections:Комп'ютерні системи проектування теорія і практика. – 2001. – №415

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
16_71-74.pdf134.88 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.