https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/30558| Title: | Првідність легованих ниткоподібних критсалів твердого розчину Si-Ge |
| Authors: | Буджак, Я. С. Дружинін, А. О. Островський, І. П. Когут, Ю. Р. |
| Bibliographic description (Ukraine): | Првідність легованих ниткоподібних критсалів твердого розчину Si-Ge / Я. С. Буджак, А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. Р. Когут // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2006. – № 569 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 133–137. – Бібліографія: 6 назв. |
| Issue Date: | 2006 |
| Publisher: | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" |
| Abstract: | Досліджено залежності провідності ниткоподібних кристалів твердого розчину SiGe <В, Pt> від температури (4,2-250К). На основі врахування механізмів розсіювання носіїв заряду у кристалах визначена енергія активації та концентрації легуючих домішок. The conductance dependencies for Si-Ge<B, Pt> solid solution whiskers on temperature (4,2-250K) were studied. Accounting mechanisms of charge carrier scattering in the crystals the impurity activation energy and doping concentrations were evaluated. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30558 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2006. – №569 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 29-133-137.pdf | 299.65 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.