https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/2528| Title: | Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії |
| Other Titles: | The growth of Si nanodimensional crystals by chemical vapour deposition |
| Authors: | Дружинін, А. О. Островський, І. П. Ховерко, Ю. М. Нічкало, С. І. |
| Bibliographic description (Ukraine): | Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 11–16. – Бібліографія: 14 назв. |
| Issue Date: | 2009 |
| Publisher: | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” |
| Keywords: | нанодротин кремнію газофазова епітаксія Si nanowires growth peculiarities |
| Abstract: | Вивчено особливості росту ансамблю нанодротин кремнію методом хімічної газофазової епітаксії у відкритій транспортній системі. Згідно з ПРК-механізмом ріст нанодротин відбувався з використанням реагуючих речовин SiCl4 та H2 і золота як ініціатора росту. Проведено моделювання кінетики росту ниткоподібних кристалів кремнію. The paper deals with a study of growth peculiarities of Si nanowires array by CVD method in open system. The wires were grown from SiCl4 and H2 precursources using Au as the initiator of growth according to VLS mechanism. Mathematical simulation of silicon nanowires growth kinetics was performed. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2528 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2009. – №646 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.