| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Берченко, М. М. | - |
| dc.contributor.author | Фадєєв, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Нікіфоров, О. Ю. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-03-24T14:09:38Z | - |
| dc.date.available | 2014-03-24T14:09:38Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Берченко М. М. Закономірності окиснення твердого розчину Pb0,8Sn0,2Te / М. М. Берченко, С. В. Фадєєв, О. Ю. Нікіфоров // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 61–66. – Бібліографія: 5 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24076 | - |
| dc.description.abstract | Для оцінки хімічного складу власного оксиду твердого розчину на основі халькогенідів Pb1-хSnхTe (х=0;0,2;1) застосовано метод діаграм фазових рівноваг.
Дослідження проводили за методом рентгеноструктурного аналізу термічно окиснених зразків. Результати досліджень добре узгоджуються з діаграмами фазових рівноваг. Основними сполуками, що утворюються під час окиснення твердого розчину Pb0.8Sn0.2Te є PbTeO3, SnO2, PbSnO3 та Pb2SnO4. To evaluate the chemical composition of its own oxide solid solution based on chalcogenides Pb1-хSnхTe (x= 0; 0,2;1) applied the method of phase equilibrium diagrams.
Research conducted by X-ray analysis of samples that were thermal oxidation. Research results agree well with the predicted phase equilibrium diagram. The main compounds formed during oxidation of solid solution Pb0.8Sn0.2Te is PbTeO3, SnO2, PbSnO3 and Pb2SnO4. | uk_UA |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
| dc.subject | IV–VI напівпровідникові сполуки | uk_UA |
| dc.subject | діаграми фазової рівноваги | uk_UA |
| dc.subject | окиснення | uk_UA |
| dc.subject | межа розділу власний діелектрик – напівпровідник | uk_UA |
| dc.subject | рентгенівська дифракція | uk_UA |
| dc.subject | IV–VI semiconductor compounds | uk_UA |
| dc.subject | Equilibrium phase diagrams | uk_UA |
| dc.subject | Oxidation | uk_UA |
| dc.subject | Native dielectric–compound semiconductor interface | uk_UA |
| dc.subject | X-ray diffraction | uk_UA |
| dc.title | Закономірності окиснення твердого розчину Pb0,8Sn0,2Te | uk_UA |
| dc.title.alternative | Oxidation specifics solid solution Pb0,8Sn0,2Te | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2010. – №681
|
