| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Стецко, Р. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-11-29T12:21:49Z | - |
| dc.date.available | 2012-11-29T12:21:49Z | - |
| dc.date.issued | 2012 | - |
| dc.identifier.citation | Стецко Р. М. Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази / Р. М. Стецко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 73–79. – Бібліографія: 14 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/16056 | - |
| dc.description.abstract | Наведено результати вирощування мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs за механізмом пара-рідина-кристал (ПРК-механізмом) методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. Отримано мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs зі складом 0,30≤x≤0,41, який був визначений за допомогою рентгенівського мікроаналізу. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in
chloride system are represented. GaxIn1-xAs solid solution microcrystals with 0.30≤x≤0.41 composition, which was determined by X-ray microanalysis, were obtained. | uk_UA |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
| dc.subject | пара-рідина-кристал | uk_UA |
| dc.subject | твердий розчин | uk_UA |
| dc.subject | мікрокристали | uk_UA |
| dc.subject | арсенід індію | uk_UA |
| dc.subject | арсенід галію | uk_UA |
| dc.subject | vapor-liquid-solid | uk_UA |
| dc.subject | solid solution | uk_UA |
| dc.subject | microcrystals | uk_UA |
| dc.subject | indium arsenide | uk_UA |
| dc.subject | gallium arsenide | uk_UA |
| dc.title | Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази | uk_UA |
| dc.title.alternative | Technology of obtaining GaAs-InAs solid solution microcrystals by chemical vapor deposition | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Електроніка. – 2012. – №734
|
