Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/15271
Title: Point defects and diffusion in oxides
Authors: Shi, J.
Becker, K. - D.
Bibliographic description (Ukraine): Shi J. Point defects and diffusion in oxides / J. Shi, K. - D. Becker // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 151–152. – Bibliography: 4 titles.
Issue Date: 2012
Publisher: Видавництво Львівської політехніки
Keywords: point defects
diffusion
optical spectroscopy
N-doped TiO2-d thin film
lithium niobate
Abstract: Electronic and ionic defects are unavoidable elements of structural disorder in oxide materials resulting from nonstoichiometry or impurity/doping ions. Many point defects involving electrons or transition metal ions give rise to optical absorption, providing a probe to study defect chemistry and transport properties in these materials. We present the application of optical in-situ spectroscopy to the investigation of defects and defect-related processes at elevated temperatures in N-doped titania films and Lideficient lithium niobate.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15271
Content type: Article
Appears in Collections:Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
66_151_152_OMEE_2012.pdf
  Restricted Access
91.84 kBAdobe PDFView/Open Request a copy
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.