Point defects and diffusion in oxides

Shi, J.; Becker, K. - D.

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Shi, J.	-
dc.contributor.author	Becker, K. - D.	-
dc.date.accessioned	2012-10-15T11:00:50Z	-
dc.date.available	2012-10-15T11:00:50Z	-
dc.date.issued	2012	-
dc.identifier.citation	Shi J. Point defects and diffusion in oxides / J. Shi, K. - D. Becker // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 151–152. – Bibliography: 4 titles.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15271	-
dc.description.abstract	Electronic and ionic defects are unavoidable elements of structural disorder in oxide materials resulting from nonstoichiometry or impurity/doping ions. Many point defects involving electrons or transition metal ions give rise to optical absorption, providing a probe to study defect chemistry and transport properties in these materials. We present the application of optical in-situ spectroscopy to the investigation of defects and defect-related processes at elevated temperatures in N-doped titania films and Lideficient lithium niobate.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Видавництво Львівської політехніки	uk_UA
dc.subject	point defects	uk_UA
dc.subject	diffusion	uk_UA
dc.subject	optical spectroscopy	uk_UA
dc.subject	N-doped TiO2-d thin film	uk_UA
dc.subject	lithium niobate	uk_UA
dc.title	Point defects and diffusion in oxides	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Appears in Collections:	Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

putin IS MURDERER