Crystal growth of the (Ga1-xInx)2Se3, 0.32≤x≤0.42 phase and investigation of physical properties of obtained single crystals

Ivashchenko, І. А.; Halyan, V. V.; Danylyuk, І. V.; Pankevuch, V. Z.; Davydyuk, G. Ye.; Olekseyuk, І. D.

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/15153

Title:	Crystal growth of the (Ga1-xInx)2Se3, 0.32≤x≤0.42 phase and investigation of physical properties of obtained single crystals
Authors:	Ivashchenko, І. А. Halyan, V. V. Danylyuk, І. V. Pankevuch, V. Z. Davydyuk, G. Ye. Olekseyuk, І. D.
Bibliographic description (Ukraine):	Crystal growth of the (Ga1-xInx)2Se3, 0.32≤x≤0.42 phase and investigation of physical properties of obtained single crystals / І. А. Ivashchenko, V. V. Halyan, І. V. Danylyuk, V. Z. Pankevuch, G. Ye. Davydyuk, І. D. Olekseyuk // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 33–34. – Bibliography: 2 titles.
Issue Date:	2012
Publisher:	Видавництво Львівської політехніки
Keywords:	phase diagram single crystal band gap absorption spectra semiconductor resistance
Abstract:	The phase diagram of the Ga2Se3–In2Se3 system as investigated by differential-thermal analysis (DTA) and X-ray diffraction (XRD) method. The single crystals from the area of existence of the γ2 phase with the compositions (Ga0.6In0.4)2Se3 and (Ga0.594In0.396Er0.01)2Se3 were grown by a vertical Bridgman method. Absorption spectra of the grown crystals were studied. The estimated optical band gap is 1.95±0.01 eV. The resistance of the single crystals of (Ga0.6In0.4)2Se3 (R = 500 M ) and (Ga0.594In0.396Er0.01)2Se3 (R = 210 M ) was measured.
URI:	https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15153
Content type:	Article
Appears in Collections:	Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
9_33_34_OMEE_2012.pdf Restricted Access		74.3 kB	Adobe PDF	View/Open Request a copy

Show full item record