Skip navigation
DSpace logo
  1. Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
  2. Електронний архів Науково-технічної бібліотеки
  3. Матеріали конференцій
  4. Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування.
  5. Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/15153
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorIvashchenko, І. А.-
dc.contributor.authorHalyan, V. V.-
dc.contributor.authorDanylyuk, І. V.-
dc.contributor.authorPankevuch, V. Z.-
dc.contributor.authorDavydyuk, G. Ye.-
dc.contributor.authorOlekseyuk, І. D.-
dc.date.accessioned2012-10-10T13:26:52Z-
dc.date.available2012-10-10T13:26:52Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationCrystal growth of the (Ga1-xInx)2Se3, 0.32≤x≤0.42 phase and investigation of physical properties of obtained single crystals / І. А. Ivashchenko, V. V. Halyan, І. V. Danylyuk, V. Z. Pankevuch, G. Ye. Davydyuk, І. D. Olekseyuk // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 33–34. – Bibliography: 2 titles.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15153-
dc.description.abstractThe phase diagram of the Ga2Se3–In2Se3 system as investigated by differential-thermal analysis (DTA) and X-ray diffraction (XRD) method. The single crystals from the area of existence of the γ2 phase with the compositions (Ga0.6In0.4)2Se3 and (Ga0.594In0.396Er0.01)2Se3 were grown by a vertical Bridgman method. Absorption spectra of the grown crystals were studied. The estimated optical band gap is 1.95±0.01 eV. The resistance of the single crystals of (Ga0.6In0.4)2Se3 (R = 500 M ) and (Ga0.594In0.396Er0.01)2Se3 (R = 210 M ) was measured.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectphase diagramuk_UA
dc.subjectsingle crystaluk_UA
dc.subjectband gapuk_UA
dc.subjectabsorption spectrauk_UA
dc.subjectsemiconductoruk_UA
dc.subjectresistanceuk_UA
dc.titleCrystal growth of the (Ga1-xInx)2Se3, 0.32≤x≤0.42 phase and investigation of physical properties of obtained single crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
9_33_34_OMEE_2012.pdf
  Restricted Access		74.3 kBAdobe PDFView/Open Request a copy
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.