https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/15149| Title: | Some properties of thin film structures on the base of ZnO obtained by MOCVD method |
| Authors: | Roshchina, N. M. Smertenko, P. S. Stepanov, V. G. Zavyalova, L. V. Lytvyn, O. S. |
| Bibliographic description (Ukraine): | Some properties of thin film structures on the base of ZnO obtained by MOCVD method / N. M. Roshchina, P. S. Smertenko, V. G. Stepanov, L. V. Zavyalova, O. S. Lytvyn // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 59–60. – Bibliography: 6 titles. |
| Issue Date: | 2012 |
| Publisher: | Видавництво Львівської політехніки |
| Keywords: | ZnO/Si heterojunction metaloorganic chemical vapour deposition current–voltage characteristics |
| Abstract: | This paper reports on the ZnO film structures obtained by MOCVD method on Si substrates. The phase composition, structure and morphology of ZnO films as well as electrophysical properties of ZnO/Si heterojunction on their base were investigated. The possible charge flow mechanisms in ZnO/Si heterojunction are discussed. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15149 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р. |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 22_59_60_OMEE_2012.pdf Restricted Access | 132.7 kB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.