Some properties of thin film structures on the base of ZnO obtained by MOCVD method

Roshchina, N. M.; Smertenko, P. S.; Stepanov, V. G.; Zavyalova, L. V.; Lytvyn, O. S.

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Roshchina, N. M.	-
dc.contributor.author	Smertenko, P. S.	-
dc.contributor.author	Stepanov, V. G.	-
dc.contributor.author	Zavyalova, L. V.	-
dc.contributor.author	Lytvyn, O. S.	-
dc.date.accessioned	2012-10-10T13:14:35Z	-
dc.date.available	2012-10-10T13:14:35Z	-
dc.date.issued	2012	-
dc.identifier.citation	Some properties of thin film structures on the base of ZnO obtained by MOCVD method / N. M. Roshchina, P. S. Smertenko, V. G. Stepanov, L. V. Zavyalova, O. S. Lytvyn // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 59–60. – Bibliography: 6 titles.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15149	-
dc.description.abstract	This paper reports on the ZnO film structures obtained by MOCVD method on Si substrates. The phase composition, structure and morphology of ZnO films as well as electrophysical properties of ZnO/Si heterojunction on their base were investigated. The possible charge flow mechanisms in ZnO/Si heterojunction are discussed.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Видавництво Львівської політехніки	uk_UA
dc.subject	ZnO/Si heterojunction	uk_UA
dc.subject	metaloorganic chemical vapour deposition	uk_UA
dc.subject	current–voltage characteristics	uk_UA
dc.title	Some properties of thin film structures on the base of ZnO obtained by MOCVD method	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Appears in Collections:	Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

putin IS MURDERER