https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/13938| Title: | Generation of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiation |
| Authors: | Irkha, Vasily Gorbachev, Victor Mikhalaki, Valeriy |
| Bibliographic description (Ukraine): | IIrkha V. Generation of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiation / Vasily Irkha, Victor Gorbachev, Valeriy Mikhalaki // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 499–500. – Bibliography: 3 titles. |
| Issue Date: | 2012 |
| Publisher: | Видавництво Львівської політехніки |
| Keywords: | p-n-junction impurity centre dark-patch defects X-ray irradiation |
| Abstract: | The process of generation and reproduction of dark-patch defects in GaAs and GaAlAs p-n-junctions after the X-ray irradiation are considered. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/13938 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії (TCSET’2012). – 2012 р. |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.