https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/13938| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Irkha, Vasily | - |
| dc.contributor.author | Gorbachev, Victor | - |
| dc.contributor.author | Mikhalaki, Valeriy | - |
| dc.date.accessioned | 2012-08-27T13:54:12Z | - |
| dc.date.available | 2012-08-27T13:54:12Z | - |
| dc.date.issued | 2012 | - |
| dc.identifier.citation | IIrkha V. Generation of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiation / Vasily Irkha, Victor Gorbachev, Valeriy Mikhalaki // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 499–500. – Bibliography: 3 titles. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/13938 | - |
| dc.description.abstract | The process of generation and reproduction of dark-patch defects in GaAs and GaAlAs p-n-junctions after the X-ray irradiation are considered. | uk_UA |
| dc.language.iso | en | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
| dc.subject | p-n-junction | uk_UA |
| dc.subject | impurity centre | uk_UA |
| dc.subject | dark-patch defects | uk_UA |
| dc.subject | X-ray irradiation | uk_UA |
| dc.title | Generation of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiation | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії (TCSET’2012). – 2012 р. | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.