Skip navigation

putin IS MURDERER

Browsing by Subject 621.315.592

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 10 of 41
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)PreviewTypeIssue DateTitleAuthor(s)
-The short-range principle in the electron scattering theory in indium nitrideМалик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Національний університет “Львівська політехніка”; National University “Lvivska Politechnika”; Национальный университет “Львивська политехника”Article-The short-range principle in the electron scattering theory in indium nitrideМалик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.
2002Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-SiДружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Національний університет "Львівська політехніка"Article2002Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-SiДружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.
2001Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAsЗаячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Національний університет “Львівська політехніка”Article2001Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAsЗаячук, Д. М.; Круковський, С. І.
2002Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕКруковський, С. І.; Заячук, Д. М.; Мрихін, І. О.; Національний університет "Львівська політехніка"Article2002Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕКруковський, С. І.; Заячук, Д. М.; Мрихін, І. О.
2002Вплив ізовалентної домішки Ві на параметри росту кристалів InSbБольшакова, І. А.; Московець, Т. А.; Національний університет "Львівська політехніка"Article2002Вплив ізовалентної домішки Ві на параметри росту кристалів InSbБольшакова, І. А.; Московець, Т. А.
2002Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементівЄрохов, В. Ю.; Мельник, І. І.; Національний університет "Львівська політехніка"Article2002Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементівЄрохов, В. Ю.; Мельник, І. І.
2002Домішки РЗЕ у напівпровідниках АIVBVI і АIIIBV: поведінка та вплив на фізичні властивості. (Огляд)Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Рибак, О. В.; Національний університет “Львівська політехніка”Article2002Домішки РЗЕ у напівпровідниках АIVBVI і АIIIBV: поведінка та вплив на фізичні властивості. (Огляд)Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Рибак, О. В.
2001Дослідження вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремніюОстровський, І. П.; Фружинський, М. С.; Рудий, І. 0.; Клімовська, А. І.; Національний університет “Львівська політехніка”Article2001Дослідження вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремніюОстровський, І. П.; Фружинський, М. С.; Рудий, І. 0.; Клімовська, А. І.
2002Дослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурахДружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Ховерко, Ю. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Article2002Дослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурахДружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Ховерко, Ю. М.
2001Дослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурахДружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Стасюк, Н. М.; Національний університет “Львівська політехніка”Article2001Дослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурахДружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Стасюк, Н. М.