https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/9852| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Островський, І. П. | - |
| dc.contributor.author | Байцар, Р. І. | - |
| dc.contributor.author | Троць, Т. Я. | - |
| dc.date.accessioned | 2011-06-16T08:52:59Z | - |
| dc.date.available | 2011-06-16T08:52:59Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.citation | Островський І. П. Вплив домішки ініціатора росту на дефектоутворення в ниткоподібних кристалах кремнію / І. П. Островський, Р. І. Байцар, Т. Я. Троць // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки. – С. 127–130. – Бібліографія: 7 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/9852 | - |
| dc.description.abstract | Показано, що домішка золота, яка відіграє роль ініціатора росту ниткоподібних кристалів Si у закритій галоїдній системі, приводить до зменшення концентрації власних дефектів, входячи у кристал у незначній кількості. It has been shown that gold impurity serving as initiator of Si whisker growth in closed halogen system results in a decrease of self defect concentration, being slowly introduced into the crystal. | uk_UA |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Державного університету “Львівська політехніка” | uk_UA |
| dc.title | Вплив домішки ініціатора росту на дефектоутворення в ниткоподібних кристалах кремнію | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2000. – №393 | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.