Фізико-хімічні особливості субмікронної оптичної літографії великих інтегрованих схем

Abstract

Визначенні шляхи удосконалення оптичної літографії при переході на топологію субмікронних розмірів, а саме: удосконалення характеристик оптичних сканерів (степерів); розробка висококонтрастного резиста і проявника; підвищення роздільної здатності проекспонованого зображення топології модифікуванням поверхні резиста в HMDS. The patterns of improvement of optical lytography under the transition to topology of submicronic sites have been defined. These are an improvement of characteristics of optical scaners, an elaboration of high contrast resist and developer, an increasing of distinct capability of overexposed imaging topology with a modification of surface of HMDS.