https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/7377| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Novosyadly, Stepan | - |
| dc.contributor.author | Sorokhtej, Taras | - |
| dc.date.accessioned | 2011-02-10T11:01:45Z | - |
| dc.date.available | 2011-02-10T11:01:45Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Novosyadly S. Method of research of electro-physical characteristics of semiconductor structures / Stepan Novosyadly, Taras Sorokhtej // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХХ Міжнародної конференції TCSET2010, присвяченої 165-й річниці заснування Національного університету «Львівська політехніка», 23–27 лютого 2010 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2010. – С. 351. – Bibliography: 2 titles. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/7377 | - |
| dc.description.abstract | In this paper the models defect in GaAs with multicharge implantation are given. | uk_UA |
| dc.language.iso | en | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
| dc.subject | multicharge implantation | uk_UA |
| dc.subject | cluster | uk_UA |
| dc.subject | pores | uk_UA |
| dc.subject | cracks | uk_UA |
| dc.subject | dislocation | uk_UA |
| dc.title | Method of research of electro-physical characteristics of semiconductor structures | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії (TCSET'2010). – 2010 р. | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.